特許
J-GLOBAL ID：200903097467053638
太陽電池
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
重野 剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-083308
公開番号（公開出願番号）：特開2007-013098
出願日： 2006年03月24日
公開日（公表日）： 2007年01月18日
要約：
【課題】変換効率が高く、かつ安価な太陽電池を提供する。【解決手段】太陽電池10は、透明導電性基板1と、基板1上にスパッタリングによって形成された、Cu2Oよりなるp層2及びアモルファス状態のIn-Ga-Zn-On層3と、このn層3上に設けられた金属電極4とからなる。n層3としてアモルファス状態のIn-Ga-Zn-Oを用いることから、n層3とp層2との接合界面に不連続性やボイド等が発生することが防止され、良好な接合界面が形成される。In-Ga-Zn-Oはアモルファス状態でも大きな電子移動度を有する。n層3を低温にてp層上に形成することができ、界面の劣化が防止される。従って、大きな変換効率を得ることができる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
p層とn層とを積層したpn接合型太陽電池において、
該p層がCu2Oよりなり、
該n層がアモルファス状態のIn-Ga-Zn-Oよりなることを特徴とする太陽電池。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (7件)：
5F051AA07
, 5F051CB15
, 5F051DA03
, 5F051FA04
, 5F051FA06
, 5F051GA02
, 5F051GA03
出願人引用 (1件)
審査官引用 (5件)
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引用文献：
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