特許
J-GLOBAL ID：201303021794789199

積層セラミックコンデンサ及びその製造方法

発明者：
森田 浩一郎

森田 浩一郎 について

, 
志村 哲生

志村 哲生 について


出願人/特許権者：
太陽誘電株式会社

太陽誘電株式会社 について


代理人 (7件)： 特許業務法人 津国 ,  津国 肇 ,  柳橋 泰雄 ,  伊藤 佐保子 ,  小澤 圭子 ,  生川 芳徳 ,  坂本 幸男
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-249550
特許番号：特許第5205545号
出願日： 2012年11月13日
要約：
【課題】積層セラミックコンデンサにおいて誘電体層の誘電体粒子を焼成により可能な限り均一に粒成長させて表面の平坦性を保ち、かつ、ある程度の粒径で誘電率を確保することにより大容量と信頼性向上の両立を図る。 【解決手段】誘電体層を構成する誘電体粒子の平均粒径ばらつきnd(累積存在率90%相当粒径D90を累積存在率10%相当粒径D10で除算した値(D90/D10))が4よりも小さい、積層セラミックコンデンサ。 【選択図】図1
請求項（抜粋）：
【請求項1】 誘電体層と内部電極層とが交互に積層されてなる積層セラミックコンデンサであって、 前記誘電体層を構成する誘電体粒子の平均粒径ばらつきnd(累積存在率90%相当粒径D90を累積存在率10%相当粒径D10で除算した値(D90/D10))が4よりも小さく、 前記誘電体粒子の平均粒径が300nmよりも大きく1000nmよりも小さい、積層セラミックコンデンサ。
IPC (3件)：
C04B 35/468 ( 200 6.01) ,  H01G 4/12 ( 200 6.01) ,  H01G 4/30 ( 200 6.01)
FI (5件)：
C04B 35/46 D ,  H01G 4/12 358 ,  H01G 4/12 364 ,  H01G 4/30 301 E ,  H01G 4/30 311 Z
引用特許：
審査官引用 (4件)
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