超伝導単一光子検出システムおよび超伝導単一光子検出方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人有古特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-153614
公開番号（公開出願番号）：特開2013-019777
出願日： 2011年07月12日
公開日（公表日）： 2013年01月31日
要約：

【課題】極低温を安定に維持しつつシステムを小型化し、しかも高い光子検出精度を得ることができる超伝導単一光子検出システムおよび超伝導単一光子検出方法を提供する。【解決手段】超伝導単一光子検出器21〜24と超伝導単一磁束量子回路30との間は交流信号伝送経路によって接続され、超伝導単一光子検出器21〜24にバイアス電流を供給するバイアス電流経路51〜54は、交流信号伝送経路に高インピーダンス素子61〜64を介して接続され、高インピーダンス素子61〜64は、高周波におけるインピーダンスが超伝導単一磁束量子回路30の負荷抵抗素子Rrのインピーダンスより高いよう構成されている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

バイアス電流によって動作する超伝導単一光子検出器と、前記超伝導単一光子検出器から出力される検出信号を負荷抵抗素子を有する変換器を用いて単一磁束量子信号に変換し、演算処理を行う超伝導単一磁束量子回路と、を備え、前記超伝導単一光子検出器と前記超伝導単一磁束量子回路との間は交流信号伝送経路によって接続され、前記超伝導単一光子検出器に前記バイアス電流を供給するバイアス電流経路は、前記交流信号伝送経路に高インピーダンス素子を介して接続され、前記高インピーダンス素子は、高周波におけるインピーダンスが前記超伝導単一磁束量子回路の前記負荷抵抗素子のインピーダンスより高い、超伝導単一光子検出システム。

IPC (3件)：

G01J 1/44 , H01L 39/00 , G01T 1/26

FI (3件)：

G01J1/44 P , H01L39/00 A , G01T1/26

Fターム (8件)：

2G065AB19 , 2G065BA31 , 2G065CA20 , 2G088GG22 , 2G088JJ05 , 4M113AC25 , 4M113AD37 , 4M113CA17

引用特許：

審査官引用 (3件)

信号処理回路およびインターフェイス回路
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-077174 出願人：独立行政法人情報通信研究機構
超伝導単光子検出器
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-221971 出願人：シュルンベルジェテクノロジーズ,インコーポレーテッド, ユニヴァーシティーオブロチェスター
粒子・光子検出器
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-184178 出願人：独立行政法人産業技術総合研究所

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