特許
J-GLOBAL ID:201303022511266965

受光装置の制御方法及び通信制御方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 片山 修平
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-061024
公開番号(公開出願番号):特開2013-197200
出願日: 2012年03月16日
公開日(公表日): 2013年09月30日
要約:
【課題】半導体光増幅器に対するフィードバック制御ができると共に、特性の劣化も抑制することができる受光装置の制御方法及び通信制御方法を提供すること。【解決手段】受光装置の制御方法は、n型InPクラッド層、活性層、およびp型InPクラッド層を順に積層してなるSOA36と、SOA36から出射された出力光を受光するPD54と、を備える受光装置の制御方法において、SOA36に入射された入力光の強度を、SOA36に0V又は逆バイアスの電圧を印加することで、SOA36を用いて検知し、検知した入力光の強度に基づいた駆動電流をSOA36に入力する制御をなす。【選択図】図5
請求項(抜粋):
一導電型半導体層、活性層、および反対導電型半導体層を順に積層してなる半導体光増幅器と、前記半導体光増幅器から出射された出力光を受光する受光素子と、を備える受光装置の制御方法において、 前記半導体光増幅器に入射された入力光の強度を、前記半導体光増幅器に0V又は逆バイアスの電圧を印加することで、前記半導体光増幅器を用いて検知し、 検知した前記入力光の強度に基づいた駆動電流を前記半導体光増幅器に入力することを特徴とする受光装置の制御方法。
IPC (2件):
H01S 5/50 ,  H01L 31/10
FI (2件):
H01S5/50 610 ,  H01L31/10 G
Fターム (12件):
5F049MA01 ,  5F049NA20 ,  5F049NB01 ,  5F049UA05 ,  5F049UA16 ,  5F173SA17 ,  5F173SA27 ,  5F173SC03 ,  5F173SE02 ,  5F173SG04 ,  5F173SJ10 ,  5F173SJ20
引用特許:
審査官引用 (7件)
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