特許

J-GLOBAL ID：201303023457264761

ナノインプリントのためのプロセスガス閉じ込め

発明者： ジェーン,アンクール ,  シャックルトン,スティーヴン,シイ ,  チョイ,ビュン-ジン
出願人/特許権者： モレキュラー・インプリンツ・インコーポレーテッド
代理人 (2件)： 山川 政樹 ,  山川 茂樹
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-551980
公開番号（公開出願番号）：特表2013-519228
出願日： 2011年02月08日
公開日（公表日）： 2013年05月23日
要約：

ガス閉じ込めシステム及び方法を説明する。詳細には、パージガスを閉じ込め、ナノロソグラフィシステム内の他の要素へのパージガスの流れを制限するバリアを含むシステム及び方法を説明する。このバリアを、作業環境と外部環境の間の所望の圧力変化に対応し、及び/又はこれを制御するように調整することができる。【選択図】 図6A

請求項（抜粋）：

ナノインプリントプロセスにおけるパージガスを閉じ込めるためのシステムであって、 チャック、及び該チャックに取り付けられたテンプレートを有するインプリントヘッドと、 前記テンプレートから間隔を空け、該テンプレートとの間に作業環境を定める基板と、 前記基板から間隔を空けるようにして配置された下面を有する、前記インプリントヘッドを取り囲むバリアと、 を備え、前記バリアが、該バリアの前記下面と前記基板の間に加圧ガスを供給し、これにより前記バリアの前記下面と前記基板の間の間隙距離が50μm〜5mmに維持される、 ことを特徴とするシステム。

IPC (2件)：

H01L 21/027 ,  B29C 59/02

FI (3件)：

H01L21/30 502D ,  B29C59/02 Z ,  H01L21/30 516F

Fターム (14件)：

4F209AA44 ,  4F209AF01 ,  4F209AG05 ,  4F209AH33 ,  4F209AM30 ,  4F209AR02 ,  4F209AR07 ,  4F209PA02 ,  4F209PB01 ,  4F209PH02 ,  4F209PN13 ,  4F209PN20 ,  5F146AA31 ,  5F146DA27

引用特許：

審査官引用 (1件)

• インプリント・リソグラフィ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-114629   出願人：エイエスエムエルネザランドズベスローテンフエンノートシャップ