特許

J-GLOBAL ID：201303024057767817

半導体装置

発明者： 河崎 律子 ,  北角 英人
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-057905
公開番号（公開出願番号）：特開2001-250949
特許番号：特許第4963140号
出願日： 2000年03月02日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 同一基板に設けられた第1の半導体層と第2の半導体層と、 前記第1の半導体層に設けられた第1のゲート電極と前記第2の半導体層に設けられた第2のゲート電極と、 前記第1のゲート電極と前記第2のゲート電極に接して設けられた第1の絶縁層と、 前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層を介して、前記第1の絶縁層と対向する側に設けられ、かつ前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層に接して設けられた第2の絶縁層と、を有し、 前記第1の半導体層はn型不純物を有し、 前記第2の半導体層はp型不純物を有し、 前記第1の半導体層のチャネル形成領域におけるn型及びp型不純物の濃度は、SIMS分析における検出限界値未満であり、 前記第2の半導体層のチャネル形成領域におけるn型及びp型不純物の濃度は、SIMS分析における検出限界値未満であり、 前記第1の絶縁層及び前記第2の絶縁層により、前記第1の半導体層及び前記第2の半導体層に応力の変化を与え、前記第1の半導体層と、前記第2の半導体層とでは、前記第1の絶縁層及び前記第2の絶縁層から受ける応力が異なることを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01) ,  H01L 27/088 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8236 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8238 ( 200 6.01) ,  H01L 27/092 ( 200 6.01) ,  H01L 27/08 ( 200 6.01)

FI (6件)：

H01L 29/78 618 Z ,  H01L 27/08 311 B ,  H01L 27/08 321 C ,  H01L 27/08 331 E ,  H01L 29/78 613 A ,  H01L 29/78 619 A

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 特開昭60-052052
  
• 特開昭63-120467
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-008648   出願人：シャープ株式会社
• 半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-056945   出願人：ソニー株式会社