電子デバイス及びシステム、並びにその製造方法及び使用方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：伊東忠彦 , 大貫進介 , 伊東忠重
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-532104
公開番号（公開出願番号）：特表2013-507000
出願日： 2010年09月15日
公開日（公表日）： 2013年02月28日
要約：

【課題】電子デバイスにおける電力消費を低減するシステム及び方法が開示される。この構造及び方法は、大部分が、バルクCMOSのプロセスフロー及び製造技術を再利用することによって実現され得る。この構造及び方法は、深空乏化チャネル(DDC)設計に関係し、CMOSベースのデバイスが従来のバルクCMOSと比較して低減されたσVTを有することを可能にするとともに、チャネル領域にドーパントを有するFETの閾値電圧VTがより正確に設定されることを可能にする。DDC設計はまた、従来のバルクCMOSトランジスタと比較して強いボディ効果を有し、それにより、電力制御の有意義な動的制御が可能になる。

請求項（抜粋）：

ソースと、ドレインと、ゲート長を有するゲートとを有する電界効果トランジスタ(FET)であって、ドープされたウェルと、前記ドープされたウェルと接触し、且つ前記ゲート長の1/2より大きい距離を置いて前記ゲートの下方に配置された遮蔽領域と、 5×1017原子/cm3より低いドーピング濃度を有する低ドーパントチャネル領域であり、前記ドレインと前記ソースとの間且つ前記遮蔽領域と前記ゲートとの間に配置された低ドーパントチャネル領域と、前記低ドーパントチャネル領域と前記遮蔽領域との間の閾値電圧調整領域と、を有するFET。

IPC (8件)：

H01L 21/336 , H01L 29/78 , H01L 21/823 , H01L 27/092 , H01L 29/786 , H01L 21/824 , H01L 27/11 , H01L 27/10

FI (6件)：

H01L29/78 301H , H01L27/08 321C , H01L29/78 618F , H01L27/10 381 , H01L27/10 461 , H01L27/10 481

Fターム (165件)：

5F048AA04 , 5F048AA07 , 5F048AA08 , 5F048AB01 , 5F048AB03 , 5F048AB04 , 5F048AB10 , 5F048AC03 , 5F048AC04 , 5F048BA01 , 5F048BA05 , 5F048BA07 , 5F048BA12 , 5F048BA16 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB09 , 5F048BB12 , 5F048BB14 , 5F048BB15 , 5F048BB18 , 5F048BC06 , 5F048BD01 , 5F048BD02 , 5F048BD04 , 5F048BD09 , 5F048BD10 , 5F048BE02 , 5F048BE03 , 5F048BE04 , 5F048BE05 , 5F048BE06 , 5F048BE09 , 5F048BF15 , 5F048BF16 , 5F048BF18 , 5F048BG13 , 5F048DA30 , 5F083BS02 , 5F083BS05 , 5F083BS14 , 5F083BS17 , 5F083BS27 , 5F083BS35 , 5F083BS46 , 5F083GA01 , 5F083GA05 , 5F083GA06 , 5F083GA09 , 5F083GA27 , 5F083HA02 , 5F083HA06 , 5F083JA02 , 5F083JA05 , 5F083JA12 , 5F083JA35 , 5F083JA36 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083JA53 , 5F083LA02 , 5F083LA21 , 5F083MA06 , 5F083MA19 , 5F083NA01 , 5F083PR25 , 5F083PR29 , 5F083PR36 , 5F083ZA12 , 5F083ZA13 , 5F083ZA15 , 5F110AA04 , 5F110AA08 , 5F110AA09 , 5F110BB04 , 5F110BB07 , 5F110CC02 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE05 , 5F110EE06 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE31 , 5F110EE38 , 5F110EE43 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF09 , 5F110FF22 , 5F110FF23 , 5F110FF26 , 5F110FF27 , 5F110FF29 , 5F110GG01 , 5F110GG02 , 5F110GG06 , 5F110GG12 , 5F110GG32 , 5F110GG34 , 5F110GG35 , 5F110GG36 , 5F110GG42 , 5F110GG52 , 5F110GG60 , 5F110HJ13 , 5F110HK32 , 5F110HK41 , 5F110HM02 , 5F110HM15 , 5F110NN62 , 5F110NN65 , 5F110QQ11 , 5F140AA05 , 5F140AA06 , 5F140AA18 , 5F140AA21 , 5F140AA24 , 5F140AB03 , 5F140AC10 , 5F140AC32 , 5F140AC33 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BB01 , 5F140BB13 , 5F140BB16 , 5F140BC06 , 5F140BC11 , 5F140BC12 , 5F140BC17 , 5F140BD01 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF05 , 5F140BF07 , 5F140BF11 , 5F140BF15 , 5F140BF17 , 5F140BF18 , 5F140BF60 , 5F140BG04 , 5F140BG08 , 5F140BG09 , 5F140BG36 , 5F140BG39 , 5F140BH14 , 5F140BH43 , 5F140BJ01 , 5F140BJ11 , 5F140BJ15 , 5F140BJ17 , 5F140BJ27 , 5F140BK02 , 5F140BK09 , 5F140BK13 , 5F140BK17 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CB10 , 5F140CD02 , 5F140CE10

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平4-179160
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-157373 出願人：株式会社日立製作所
特開平4-186774

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