特許

J-GLOBAL ID：201303024720031021

パターン形成方法

発明者： 畠山 潤
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-202948
公開番号（公開出願番号）：特開2013-064829
出願日： 2011年09月16日
公開日（公表日）： 2013年04月11日
要約：

【解決手段】ヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位を有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得、その上に置換又は非置換のメチロール基と結合する窒素原子及び/又は芳香族基を有する架橋剤を含む溶液を塗布、ベークによってネガパターン表面で架橋することにより、ネガパターンのスペース部分の寸法を縮小させるパターン形成方法。【効果】本発明のレジスト膜は、有機溶剤による現像におけるポジネガ反転の画像形成において、未露光部分の溶解性が高く、露光部分の溶解性が低く、溶解コントラストが高い特徴を有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ヒドロキシ基が酸不安定基で置換された繰り返し単位を有する高分子化合物と、酸発生剤と、有機溶剤とを含むレジスト組成物を基板上に塗布し、加熱処理後に高エネルギー線で上記レジスト膜を露光し、加熱処理後に有機溶剤による現像液を用いて未露光部を溶解させ、露光部が溶解しないネガ型パターンを得、その上に置換又は非置換のメチロール基と結合する窒素原子及び/又は芳香族基を有する架橋剤を含む溶液を塗布し、ベークによってネガパターン表面で架橋することにより、ネガパターンのスペース部分の寸法を縮小させることを特徴とするパターン形成方法。

IPC (7件)：

G03F 7/40 ,  G03F 7/32 ,  G03F 7/038 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/004 ,  H01L 21/027 ,  C08F 220/28

FI (10件)：

G03F7/40 511 ,  G03F7/32 ,  G03F7/038 601 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/004 503A ,  H01L21/30 502R ,  H01L21/30 569E ,  H01L21/30 570 ,  H01L21/30 514A ,  C08F220/28

Fターム (78件)：

2H096AA25 ,  2H096BA06 ,  2H096CA05 ,  2H096EA05 ,  2H096GA03 ,  2H096HA05 ,  2H125AF17P ,  2H125AF18P ,  2H125AF34P ,  2H125AF38P ,  2H125AF41P ,  2H125AF43P ,  2H125AF45P ,  2H125AH04 ,  2H125AH05 ,  2H125AH11 ,  2H125AH13 ,  2H125AH16 ,  2H125AH22 ,  2H125AH23 ,  2H125AH24 ,  2H125AH25 ,  2H125AH29 ,  2H125AJ12X ,  2H125AJ12Y ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ18X ,  2H125AJ23X ,  2H125AJ24Y ,  2H125AJ64Y ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ66X ,  2H125AJ69X ,  2H125AJ70X ,  2H125AJ74Y ,  2H125AJ84X ,  2H125AJ84Y ,  2H125AL03 ,  2H125AL11 ,  2H125AM22N ,  2H125AM91N ,  2H125AM94N ,  2H125AM99N ,  2H125AN11N ,  2H125AN31N ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN51P ,  2H125AN63N ,  2H125AN88P ,  2H125AP02N ,  2H125BA01P ,  2H125BA26P ,  2H125CA12 ,  2H125CB09 ,  2H125CC01 ,  2H125CC15 ,  2H125DA03 ,  2H125FA01 ,  2H125FA03 ,  2H125FA05 ,  4J100AL08P ,  4J100BA02P ,  4J100BA03P ,  4J100BA15P ,  4J100BC04P ,  4J100BC08P ,  4J100BC09P ,  4J100BC49P ,  4J100BC53P ,  4J100BC60P ,  4J100CA03 ,  4J100CA05 ,  4J100CA06 ,  4J100JA38 ,  5F146AA13 ,  5F146LA12 ,  5F146LA18

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 微細パターン形成材料及びこれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-080940   出願人：三菱電機株式会社
• パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-128797   出願人：富士フイルム株式会社

審査官引用 (2件)

• 微細パターン形成材料及びこれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-080940   出願人：三菱電機株式会社
• パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-128797   出願人：富士フイルム株式会社