特許

J-GLOBAL ID：200903079167267026

微細パターン形成材料及びこれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体装置

発明者： 石橋 健夫 ,  豊島 利之 ,  片山 圭一 ,  南出 あゆみ
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-080940
公開番号（公開出願番号）：特開平10-073927
出願日： 1997年03月31日
公開日（公表日）： 1998年03月17日
要約：

【要約】【課題】 露光によるレジストパターンの形成においては、波長による微細化の限界があり、これを超える必要がある。【解決手段】 露光により酸を発生する材料を含むレジストパターンの上を、酸の存在で架橋する材料を含むレジストで覆う。加熱又は露光によりレジストパターン中に酸を発生させ、界面に生じた架橋層をレジストパターンの被覆層として形成し、レジストパターンを太らせる。これにより、レジストのホール径の縮小、分離幅の縮小ができる。

請求項（抜粋）：

水溶性樹脂の1種類、又は前記水溶性樹脂の2種類以上の混合物、あるいは前記水溶性樹脂の2種類以上による共重合物を主成分とし、酸の存在により架橋反応を生じることを特徴とする微細パターン形成材料。

IPC (6件)：

G03F 7/095 ,  C23F 1/00 102 ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/3065

FI (7件)：

G03F 7/095 ,  C23F 1/00 102 ,  G03F 7/038 601 ,  G03F 7/26 511 ,  H01L 21/30 502 R ,  H01L 21/30 573 ,  H01L 21/302 H

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭57-084451
  
• 特開昭63-138353
  
• パタン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-042826   出願人：株式会社日立製作所
• パターン形成方法、位相シフト法用ホトマスクの形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-037616   出願人：沖電気工業株式会社