半導体装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-162842
公開番号（公開出願番号）：特開2012-253789
出願日： 2012年07月23日
公開日（公表日）： 2012年12月20日
要約：

【課題】開示する発明の一態様は、安定して動作することが可能なパルス信号出力回路及びそれを含むシフトレジスタを提供することを課題の一とする。【解決手段】開示する発明の一態様のパルス信号出力回路は、第1乃至第10のトランジスタを有し、第1のトランジスタおよび第3のトランジスタのチャネル長Lに対するチャネル幅Wの比W/Lは、第6のトランジスタのW/Lよりも大きく、第5のトランジスタのW/Lは、第6のトランジスタのW/Lよりも大きく、第5のトランジスタのW/Lは、第7のトランジスタのW/Lと等しく、第3のトランジスタのW/Lは、第4のトランジスタのW/Lよりも大きくする。これによって、安定して動作することが可能なパルス信号出力回路及びそれを含むシフトレジスタを提供することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1乃至第10のトランジスタを有し、前記第1のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第2のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、前記第3のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第4のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、前記第5のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第6のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、前記第5のトランジスタのソース又はドレインの一方は、前記第7のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、前記第1のトランジスタのゲートは、前記第3のトランジスタのゲートと電気的に接続され、前記第1のトランジスタのゲートは、前記第7のトランジスタのソース又はドレインの他方と電気的に接続され、前記第2のトランジスタのゲートは、前記第4のトランジスタのゲートと電気的に接続され、前記第2のトランジスタのゲートは、前記第6のトランジスタのゲートと電気的に接続され、前記第2のトランジスタのゲートは、前記第8のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、前記第2のトランジスタのゲートは、前記第9のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、前記第8のトランジスタのソース又はドレインの他方は、前記第10のトランジスタのソース又はドレインの一方と電気的に接続され、前記第4のトランジスタのW(Wはチャネル幅)/L(Lはチャネル長)は、前記第3のトランジスタのW/Lよりも小さい値を有し、前記第6のトランジスタのW/Lは、前記第1のトランジスタのW/Lよりも小さい値を有し、前記第6のトランジスタのW/Lは、前記第3のトランジスタのW/Lよりも小さい値を有し、前記第6のトランジスタのW/Lは、前記第5のトランジスタのW/Lよりも小さい値を有し、前記第7のトランジスタのW/Lは、前記第5のトランジスタのW/Lよりも小さい値、又は前記第5のトランジスタのW/Lと等しい値を有し、前記第1乃至第10のトランジスタのいずれか一は、酸化物半導体を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (8件)：

H03K 3/356 , H01L 21/823 , H01L 27/088 , H01L 27/06 , H01L 29/786 , H03K 19/00 , H03K 19/017 , H03K 23/44

FI (9件)：

H03K3/356 B , H01L27/08 102B , H01L27/08 102C , H01L27/06 102A , H01L29/78 613Z , H01L29/78 618B , H03K19/00 C , H03K19/00 101F , H03K23/44

Fターム (87件)：

5F048AB07 , 5F048AC04 , 5F048AC10 , 5F048BA14 , 5F048BA16 , 5F048BB01 , 5F048BB03 , 5F048BB09 , 5F048BB11 , 5F048BB12 , 5F048BD02 , 5F048BD10 , 5F048BF02 , 5F048BF07 , 5F048BF16 , 5F110AA06 , 5F110AA26 , 5F110BB02 , 5F110BB03 , 5F110CC01 , 5F110CC03 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE14 , 5F110EE28 , 5F110EE30 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG01 , 5F110GG06 , 5F110GG07 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG28 , 5F110GG29 , 5F110GG35 , 5F110GG43 , 5F110GG57 , 5F110GG58 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK21 , 5F110NN03 , 5F110NN04 , 5F110NN12 , 5F110NN22 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN34 , 5F110NN72 , 5F110QQ02 , 5F110QQ06 , 5F110QQ19 , 5J034AB07 , 5J034CB02 , 5J056AA04 , 5J056BB21 , 5J056CC14 , 5J056DD12 , 5J056DD27 , 5J056DD51 , 5J056EE06 , 5J056EE15 , 5J056FF04 , 5J056FF08 , 5J056GG07 , 5J056KK01 , 5J056KK02

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開昭63-242020
出力回路、出力方法、出力回路の製造方法、および電子機器
公報種別：公開公報出願番号：特願2008-011306 出願人：セイコーエプソン株式会社
昇圧クロック生成回路及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-175321 出願人：セイコーエプソン株式会社

全件表示

前のページに戻る