特許

J-GLOBAL ID：201303024777066000

半導体装置の製造方法および基板処理装置

発明者： 奥田 和幸 ,  水野 謙和
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-094007
公開番号（公開出願番号）：特開2013-179332
出願日： 2013年04月26日
公開日（公表日）： 2013年09月09日
要約：

【課題】ALD法により成膜を行い半導体装置を製造する場合に於いて、ALD法の特徴であるセルフリミットの作用を強め、ウェーハ面内の均一性の向上を図る。【解決手段】処理室に基板を搬入する工程と、前記基板に対して、原料ガスおよび脱水処理が施された触媒ガスと、酸化性ガスおよび前記触媒ガスとを互いに混合しないよう交互に供給する工程と、前記処理室から前記基板を搬出する工程と、を行なうことにより前記基板に酸化膜を形成する工程を有する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

処理室に基板を搬入する工程と、 前記基板に対して、原料ガスおよび脱水処理が施された触媒ガスと、酸化性ガスおよび前記触媒ガスとを互いに混合しないよう交互に供給する工程と、 前記処理室から前記基板を搬出する工程と、 を行なうことにより前記基板に酸化膜を形成する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/31 ,  H01L 23/532 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L21/316 X ,  H01L21/31 B ,  H01L21/90 K

Fターム (30件)：

5F033RR04 ,  5F033SS01 ,  5F033SS02 ,  5F033SS11 ,  5F045AA15 ,  5F045AB32 ,  5F045AC05 ,  5F045AC15 ,  5F045BB02 ,  5F045BB03 ,  5F045BB08 ,  5F045DP19 ,  5F045EE02 ,  5F045EE03 ,  5F045EE04 ,  5F045EE14 ,  5F045EE19 ,  5F058BA06 ,  5F058BA11 ,  5F058BC02 ,  5F058BD04 ,  5F058BF04 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BF36 ,  5F058BG01 ,  5F058BG02 ,  5F058BG03 ,  5F058BG04 ,  5F058BJ04

引用特許：

審査官引用 (2件)

• シロキサン化合物を利用した二酸化シリコン膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-055191   出願人：三星電子株式会社
• 薄膜の製造方法及びこれに用いられる化学気相成長用原料組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-265816   出願人：旭電化工業株式会社