特許
J-GLOBAL ID：201303024839528234

半導体発光素子の製造方法

発明者：
田村 渉

田村 渉 について


出願人/特許権者：
スタンレー電気株式会社

スタンレー電気株式会社 について


代理人 (3件)： 高橋 敬四郎 ,  鵜飼 伸一 ,  足立 能啓
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-007277
公開番号（公開出願番号）：特開2013-149676
出願日： 2012年01月17日
公開日（公表日）： 2013年08月01日
要約：
【課題】 高品質の半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】 (a)基板上方に半導体層を配置する。(b)半導体層上にAu層を含む電極層を形成する。(c)電極層を合金化する。工程(b)において、基板を冷却しながらAu層を形成する。工程(c)は、(c1)工程(c)開始前のAu層における粒界エネルギーを超えるエネルギーを与える条件、かつ、Au層において再結晶化が開始しない条件で、電極層を加熱する第1の熱処理工程、(c2)工程(c1)後のAu層における粒界エネルギー以下のエネルギーしか与えない温度まで、電極層を冷却する冷却工程、(c3)電極層を、半導体層とオーミック接触が得られるまで加熱する第2の熱処理工程を含む。【選択図】 図6
請求項（抜粋）：
(a)基板上方に半導体層を配置する工程と、 (b)前記半導体層上にAu層を含む電極層を形成する工程と、 (c)前記電極層を合金化する工程と を有し、 前記工程(b)は、前記基板を冷却しながら前記Au層を形成する工程を含み、 前記工程(c)は、 (c1)前記工程(c)開始前の前記Au層における粒界エネルギーを超えるエネルギーを与える条件、かつ、前記Au層において再結晶化が開始しない条件で、前記電極層を加熱する第1の熱処理工程と、 (c2)前記工程(c1)後の前記Au層における粒界エネルギー以下のエネルギーしか与えない温度まで、前記電極層を冷却する冷却工程と、 (c3)前記電極層を、前記半導体層とオーミック接触が得られるまで加熱する第2の熱処理工程と を含む半導体発光素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 33/36 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/28
FI (3件)：
H01L33/00 200 ,  H01L21/02 B ,  H01L21/28 B
Fターム (27件)：
4M104AA04 ,  4M104BB09 ,  4M104BB10 ,  4M104BB11 ,  4M104BB14 ,  4M104CC01 ,  4M104CC03 ,  4M104DD68 ,  4M104DD77 ,  4M104DD79 ,  4M104GG04 ,  5F041AA25 ,  5F041CA34 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA85 ,  5F041CA92 ,  5F041CA98 ,  5F041CB15 ,  5F141AA25 ,  5F141CA34 ,  5F141CA65 ,  5F141CA73 ,  5F141CA85 ,  5F141CA92 ,  5F141CA98 ,  5F141CB15
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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