特許

J-GLOBAL ID：200903030695302977

III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法

発明者： 上村 俊也
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 小西 富雅 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-167835
公開番号（公開出願番号）：特開2002-368270
出願日： 2001年06月04日
公開日（公表日）： 2002年12月20日
要約：

【要約】【目的】 III族窒化物系化合物半導体からなるp型層と透光性電極とのオーミックコンタクトを維持しつつp台座電極の表面が酸化されてこれと導電性ワイヤとの接合力が低下することを防止する。【構成】 透光性電極形成層の上にp台座電極形成層を積層した後、これを合金化する熱処理を第1の熱処理工程と第2の熱処理工程に分解し、第1の熱処理工程では酸素を含む雰囲気において比較的低温で熱処理し、第2の熱処理工程では酸素を含まない雰囲気として比較的高温で熱処理をする。

請求項（抜粋）：

III族窒化物系化合物半導体からなるp型層の上に、第1の金属を積層して第1の電極層を形成し、前記第1の金属よりも高いイオン化ポテンシャルを有する第2の金属を前記第1の電極層の上に積層して第2の電極層を形成する電極形成工程と、実質的に酸素を含む雰囲気において第1の温度で熱処理をする第1の熱処理工程と、実質的に酸素を含まない雰囲気において前記第1の温度より高い第2の温度で熱処理をする第2の熱処理工程と、を含む、III族窒化物系化合物半導体素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 33/00 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28

FI (4件)：

H01L 33/00 E ,  H01L 33/00 C ,  H01L 21/28 301 H ,  H01L 21/28 301 Z

Fターム (48件)：

4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104AA05 ,  4M104AA06 ,  4M104AA10 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB13 ,  4M104BB17 ,  4M104CC01 ,  4M104DD08 ,  4M104DD26 ,  4M104DD34 ,  4M104DD43 ,  4M104DD78 ,  4M104DD79 ,  4M104DD86 ,  4M104FF03 ,  4M104FF13 ,  4M104FF17 ,  4M104GG02 ,  4M104GG04 ,  4M104HH08 ,  4M104HH15 ,  5F041AA03 ,  5F041AA08 ,  5F041AA24 ,  5F041AA43 ,  5F041AA44 ,  5F041CA02 ,  5F041CA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA12 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA49 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA73 ,  5F041CA74 ,  5F041CA82 ,  5F041CA85 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92

引用特許：

出願人引用 (4件)

• GaN系化合物半導体発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-334956   出願人：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
• 窒化ガリウム系化合物半導体及び素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-019748   出願人：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
• 窒化ガリウム系化合物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-047064   出願人：豊田合成株式会社
• 透光性電極用膜及びIII族窒化物系化合物半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-181020   出願人：豊田合成株式会社

引用文献：

出願人引用 (1件)

• 電子情報通信学会技術研究報告, 1998, Vol.98,No.185, p.89-94