特許
J-GLOBAL ID：201303024863389920

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者：
柳 至

柳 至 について

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安藤 正彦

安藤 正彦 について

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峰 利之

峰 利之 について

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長部 太郎

長部 太郎 について

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石井 智之

石井 智之 について


出願人/特許権者：
株式会社日立製作所

株式会社日立製作所 について


代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-008289
公開番号（公開出願番号）：特開2013-148425
出願日： 2012年01月18日
公開日（公表日）： 2013年08月01日
要約：
【課題】DNAなどの生体物質を含む各種物質の検出用の半導体装置の検出精度の向上を図る。【解決手段】この半導体装置は、酸化シリコン膜110の第1面上に配置されたチャネル領域CHと、チャネル領域CHの両側に配置されたソース、ドレイン領域と、上記第1面上に、チャネル領域CHと離間して配置され、チャネル領域CHの側面xz1と対向するように配置されたゲート電極Gと、チャネル領域CHとゲート電極Gとの間に位置する絶縁膜Zと、チャネル領域CHの側面xz1に沿って、上記第1面と交差するように配置されたポアPとを有する。このポアPにDNA200などの被検査物を導入し、チャネル領域CHの側面xz1に形成される反転層10に対する被検査物による電界の変化をソース、ドレイン領域間に流れる電流の変化として検出する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
絶縁層の第1面上に配置された第1半導体膜と、 前記第1半導体膜の両側に配置されたソース、ドレイン領域と、 前記第1面上に、前記第1半導体膜と離間して配置され、前記第1半導体膜の第1側面と対向するように配置されたゲート電極と、 前記第1半導体膜と前記ゲート電極との間に位置する第1絶縁膜と、 前記第1半導体膜の前記第1側面に沿って、前記第1面と交差するように配置された孔と、 を有する半導体装置。
IPC (4件)：
G01N 27/00 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (7件)：
G01N27/00 J ,  H01L29/50 M ,  H01L29/78 617N ,  H01L29/78 617L ,  H01L29/78 617K ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 617J
Fターム (85件)：
2G060AA15 ,  2G060AA20 ,  2G060AG06 ,  2G060AG08 ,  2G060DA02 ,  2G060DA04 ,  2G060DA11 ,  2G060DA23 ,  2G060DA28 ,  4M104AA01 ,  4M104AA09 ,  4M104AA10 ,  4M104BB01 ,  4M104BB40 ,  4M104CC01 ,  4M104CC05 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD43 ,  4M104DD55 ,  4M104DD63 ,  4M104DD78 ,  4M104DD80 ,  4M104DD89 ,  4M104DD94 ,  4M104EE03 ,  4M104EE05 ,  4M104FF04 ,  4M104FF06 ,  4M104FF11 ,  4M104FF13 ,  4M104FF21 ,  4M104FF27 ,  4M104GG09 ,  4M104GG20 ,  4M104HH10 ,  4M104HH14 ,  5F110BB09 ,  5F110CC02 ,  5F110CC10 ,  5F110DD01 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD17 ,  5F110DD21 ,  5F110DD25 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE22 ,  5F110EE24 ,  5F110EE30 ,  5F110EE48 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF13 ,  5F110FF29 ,  5F110FF40 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG22 ,  5F110GG23 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG44 ,  5F110GG55 ,  5F110GG58 ,  5F110HK09 ,  5F110HK14 ,  5F110HK34 ,  5F110HK39 ,  5F110HL03 ,  5F110HL23 ,  5F110HM04 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN62 ,  5F110NN65 ,  5F110PP01 ,  5F110QQ08
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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