半導体レーザ、それを備えたレーザモジュールおよび半導体レーザの製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：松山隆夫
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-083846
公開番号（公開出願番号）：特開2008-244216
特許番号：特許第5184804号
出願日： 2007年03月28日
公開日（公表日）： 2008年10月09日
請求項（抜粋）：

【請求項1】基板上に形成され、レーザ光を平坦面である出射面から出射する活性層と、前記基板の面内方向において前記出射面と反対側の前記活性層の端面に接して配置されるとともに、前記レーザ光の波長に相当するエネルギーギャップよりも大きいエネルギーギャップを有する半導体材料からなり、前記活性層に接した側と反対側に曲面を有する窓部材と、前記平坦面に形成された低反射膜と、前記曲面に形成された高反射膜とを備え、前記活性層および前記窓部材は、前記基板の面内方向に配置され、前記曲面は、ドライエッチングによって形成され、前記活性層に向かって凸になっている、半導体レーザ。

IPC (2件)：