特許
J-GLOBAL ID：201303025011898344

半導体装置の製造方法および半導体装置

発明者：
大野 栄治

大野 栄治 について

, 
大杉 英司

大杉 英司 について


出願人/特許権者：
ルネサスエレクトロニクス株式会社

ルネサスエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (4件)： 筒井 大和 ,  菅田 篤志 ,  筒井 章子 ,  坂次 哲也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-046330
公開番号（公開出願番号）：特開2013-183055
出願日： 2012年03月02日
公開日（公表日）： 2013年09月12日
要約：
【課題】半導体装置の信頼性の低下を抑制して、半導体装置の小型化および薄型化を図ることができる。【解決手段】半導体ウエハの裏面を研削材で研削して、半導体ウエハを所定の厚さまで薄く加工した後、半導体ウエハを切断領域に沿って切断して複数の半導体チップ2を取得する。そして、半導体チップ2の裏面に研削スジを残した状態で、半導体チップ2の裏面がダイアイランド3aの上面と対向するように、導電性樹脂ペースト6を介してダイアイランド3aの上面上に半導体チップ2を配置する。ダイアイランド3aの上面には窪み8を有しており、窪み8の縁から窪み8の底までの深さは3μm〜10μmである。【選択図】図3
請求項（抜粋）：
以下の工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法: (a)第1主面、前記第1主面に設けられた複数のチップ領域、前記複数のチップ領域のうちの互いに隣り合うチップ領域間に設けられた切断領域、および前記第1主面とは反対側の第2主面を有し、第1の厚さの半導体ウエハを準備する工程; (b)前記半導体ウエハの前記第2主面を、研削材を用いて研削し、前記第2主面に複数の研削スジを残して、前記半導体ウエハを第2の厚さまで薄くする工程; (c)前記半導体ウエハの前記第2主面に前記複数の研削スジを残した状態で、前記切断領域に沿って前記半導体ウエハを切断し、半導体チップを取得する工程; (d)第1電極板、および前記第1電極板から離れて配置された第2電極板が形成された複数のチップ搭載領域を有し、金属から成る母基板を準備する工程; (e)前記半導体チップの裏面に前記複数の研削スジを残した状態で、前記半導体チップの裏面が前記第1電極板の上面と対向するように、導電性樹脂ペーストを介して前記第1電極板の上面上に前記半導体チップを配置する工程;
IPC (5件)：
H01L 23/12 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31 ,  H01L 21/52 ,  H01L 21/304
FI (4件)：
H01L23/12 501T ,  H01L23/30 R ,  H01L21/52 C ,  H01L21/304 631
Fターム (22件)：
4M109AA01 ,  4M109BA07 ,  4M109CA21 ,  4M109DA01 ,  4M109DB17 ,  4M109EE20 ,  5F047AA03 ,  5F047AB06 ,  5F047AB08 ,  5F047BA15 ,  5F047BB11 ,  5F047CB02 ,  5F057AA37 ,  5F057BA20 ,  5F057BA21 ,  5F057BB03 ,  5F057CA14 ,  5F057CA31 ,  5F057CA36 ,  5F057DA11 ,  5F057EB16 ,  5F057EB17
引用特許：
出願人引用 (5件)
全件表示
審査官引用 (5件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM