ハフニウム系薄膜形成方法およびハフニウム系薄膜形成材料

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：宇高克己
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-219892
公開番号（公開出願番号）：特開2013-047391
出願日： 2012年10月01日
公開日（公表日）： 2013年03月07日
要約：

【課題】常温で液体であり、そして安定性に富んでおり、原料の安定供給が行え、高品質なハフニウム系薄膜を安定して形成できる技術を提供する。【解決手段】下記の一般式[I]で表される化合物であるハフニウム系薄膜形成材料。一般式[I] LHf(NR1R2)3 (但し、Lは置換シクロペンタジエニル基、R1,R2はアルキル基であり、R1とR2とは互いに異なっていても同じであってもよい。)【選択図】図2

請求項（抜粋）：

化学気相成長方法または原子層制御成長方法により基板上にハフニウム系薄膜を形成する方法であって、下記の一般式[I]で表される化合物が用いられることを特徴とするハフニウム系薄膜形成方法。一般式[I] LHf(NR1R2)3 (但し、Lは置換シクロペンタジエニル基、R1,R2はアルキル基であり、R1とR2とは互いに異なっていても同じであってもよい。)

IPC (3件)：

C23C 16/18 , H01L 21/28 , H01L 21/285

FI (3件)：

C23C16/18 , H01L21/28 301R , H01L21/285 C

Fターム (10件)：

4K030AA11 , 4K030AA18 , 4K030BA10 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA10 , 4K030LA15 , 4M104BB13 , 4M104DD45 , 4M104HH20

引用特許：

出願人引用 (4件)

酸化膜の原子層堆積
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-043728 出願人：シャープ株式会社
チタン含有薄膜およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-410104 出願人：財団法人相模中央化学研究所
多層構造のゲート絶縁膜を含んだ有機薄膜トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-197515 出願人：三星電子株式会社

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