特許
J-GLOBAL ID：201303025622879523
相変化メモリ材料、デバイスおよび方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
恩田 博宣
, 恩田 誠
, 本田 淳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-240317
公開番号（公開出願番号）：特開2013-065394
出願日： 2012年10月31日
公開日（公表日）： 2013年04月11日
要約：
【課題】相変化メモリ材料、デバイスおよび方法を提供する。【解決手段】Gaと、ランタノイドと、カルコゲニドとからなる化合物に基づく新しい種類の相変化材料を発見した。これにはGaとLaとSからなる化合物(GLS)に加えて、SをO、Se、および/またはTeによって置換した関連化合物が含まれる。またLaを他のランタン系列元素によって置換できる。この種類の材料は低エネルギで切換えられることが実証された。たとえばGLS材料によって、相変化メモリとして標準的なGeSbTe(GST)材料の消去性よりも3〜5dB高い消去性を有する光記録媒体を提供できる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
相変化材料を備えた相変化メモリデバイスであって、
前記相変化材料は、
(i)Gaと、
(ii)Laと、
(iii)カルコゲニドと
からなる化合物である、デバイス。
IPC (7件)：
G11B 7/243
, H01L 45/00
, H01L 27/105
, G11B 7/240
, G11B 7/254
, G11B 7/257
, G11B 7/24
G11B7/24 511
, H01L45/00 A
, H01L27/10 448
, G11B7/24 522D
, G11B7/24 534H
, G11B7/24 535F
5D029JA01
, 5D029JB03
, 5D029LA13
, 5D029LB04
, 5F083FZ10
, 5F083JA39
, 5F083JA40
, 5F083JA56
, 5F083JA58
, 5F083PR25
, 5F083PR33
, 5F083ZA21
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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