特許
J-GLOBAL ID：201303026123837522
シリコン単結晶ウェーハの製造方法
出願人/特許権者：
信越半導体株式会社
信越半導体株式会社 について
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-060538
公開番号（公開出願番号）：特開2013-193897
出願日： 2012年03月16日
公開日（公表日）： 2013年09月30日
要約：
【課題】例えばパワーデバイス用として好適に用いることができる低酸素濃度のシリコン単結晶ウェーハを、生産性良く低コストで製造することができる方法を提供することを目的とする。【解決手段】シリコン単結晶インゴットの育成における成長速度をV、結晶成長界面近傍での温度勾配をG、優勢な点欠陥がVacancyからInterstitial Siに変化する際のV/Gの値を(V/G)crtとした場合に、V/G≧1.05×(V/G)crtとなるような成長条件で、酸素濃度7×1017atoms/cm3(ASTM ’79)以下のシリコン単結晶インゴットを育成し、該育成したシリコン単結晶インゴットから、Vacancyが優勢な領域を含み、かつ、選択エッチングによりFPDが検出されないシリコン単結晶ウェーハを製造するシリコン単結晶ウェーハの製造方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
CZ単結晶製造装置を用いてシリコン単結晶インゴットを育成し、該育成したシリコン単結晶インゴットからシリコン単結晶ウェーハを切り出すシリコン単結晶ウェーハの製造方法であって、
前記シリコン単結晶インゴットの育成における成長速度をV、結晶成長界面近傍での温度勾配をG、優勢な点欠陥がVacancyからInterstitial Siに変化する際のV/Gの値を(V/G)crtとした場合に、V/G≧1.05×(V/G)crtとなるような成長条件で、酸素濃度7×1017atoms/cm3(ASTM ’79)以下のシリコン単結晶インゴットを育成し、該育成したシリコン単結晶インゴットから、Vacancyが優勢な領域を含み、かつ、選択エッチングによりFPDが検出されないシリコン単結晶ウェーハを製造することを特徴とするシリコン単結晶ウェーハの製造方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
Fターム (11件)：
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077BA04
, 4G077CF10
, 4G077EB01
, 4G077EG15
, 4G077EG25
, 4G077EH09
, 4G077HA06
, 4G077PA06
, 4G077PA10
引用特許：
出願人引用 (4件)
-
シリコンウエーハおよびシリコン単結晶の製造方法
公報種別：公開公報 出願番号：特願2000-092337 出願人：信越半導体株式会社 -
結晶欠陥の少ないシリコン単結晶の製造方法
公報種別：公開公報 出願番号：特願平6-134274 出願人：信越半導体株式会社 -
単結晶製造装置
公報種別：公開公報 出願番号：特願2008-003164 出願人：信越半導体株式会社
Copyright (c) 2009 Japan Science and Technology Agency. All Rights Reserved