特許
J-GLOBAL ID：201303026171808453

半導体装置

発明者：
坂本 和久

坂本 和久 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (3件)： 稲岡 耕作 ,  川崎 実夫 ,  皆川 祐一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-255881
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085443
特許番号：特許第4707203号
出願日： 1999年09月09日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体基板に形成された第1導電型半導体領域と、この第1導電型半導体領域に接合して形成され、上記第1導電型半導体領域とは異なる導電型の第2導電型半導体領域とを有する機能素子を含む半導体装置であって、 上記第1導電型半導体領域において、その表面の、電極が接続されるコンタクト領域の境界部内部に寄生ダイオードが形成されており、 上記寄生ダイオードは、上記第1導電型半導体領域において上記コンタクト領域の境界を跨ぐ内部領域に設けられ、上記電極に接触する、上記第1導電型半導体領域とは異なる導電型の第2導電型領域を含み、 上記コンタクト領域は、上記第2導電型半導体領域を包囲するリング状を有し、 上記第2導電型領域は、上記コンタクト領域の境界を跨ぐリング状の内部領域において、上記電極に設定されたボンディング領域から最も離れた位置を避けて形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 21/331 ( 200 6.01) ,  H01L 29/732 ( 200 6.01) ,  H01L 29/417 ( 200 6.01) ,  H01L 29/74 ( 200 6.01)
FI (5件)：
H01L 29/72 P ,  H01L 29/50 B ,  H01L 29/50 Z ,  H01L 29/74 W ,  H01L 29/74 Z
引用特許：
審査官引用 (20件)
  • 特開昭58-066356
  • 特開平4-275432
  • 特開昭62-058678
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