エピタキシャル膜形成用配向基板及びその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人田中・岡崎アンドアソシエイツ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-064918
公開番号（公開出願番号）：特開2013-196996
出願日： 2012年03月22日
公開日（公表日）： 2013年09月30日
要約：

【解決課題】エピタキシャル薄膜成長用の配向基板について、良好な配向性を有し、更に、高品質のエピタキシャル膜を形成することのできるものを提供する。【解決手段】本発明は、少なくとも片面に配向化金属層を有するエピタキシャル膜形成用配向基板において、前記配向化金属層は、立方体集合組織を有する銅層と、前記銅層上に形成され厚さ100〜20000nmのニッケル層とからなり、前記ニッケル層は、その表面に厚さ1〜30nmの酸化ニッケルからなる酸化ニッケル層が形成されており、更に、前記ニッケル層は、前記酸化ニッケル層との界面に、パラジウムを含むニッケルからなるパラジウム含有領域を有するエピタキシャル膜形成用配向基板である。この配向基板は、最上層である酸化ニッケル層の表面粗さが10nm以下となっていることが好ましい。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

少なくとも片面に配向化金属層を有するエピタキシャル膜形成用配向基板において、前記配向化金属層は、立方体集合組織を有する銅層と、前記銅層上に形成され厚さ100〜20000nmのニッケル層とからなり、前記ニッケル層は、その表面に厚さ1〜30nmの酸化ニッケルからなる酸化ニッケル層が形成されており、更に、前記ニッケル層は、前記酸化ニッケル層との界面に、パラジウムを含むニッケルからなるパラジウム含有領域を有するエピタキシャル膜形成用配向基板。

IPC (6件)：

H01B 12/06 , H01B 13/00 , C01G 53/04 , C01G 55/00 , C01G 1/00 , C01G 3/00

FI (6件)：

H01B12/06 , H01B13/00 561Z , C01G53/04 , C01G55/00 , C01G1/00 S , C01G3/00

Fターム (25件)：

4G047JA05 , 4G047JC02 , 4G047KE01 , 4G047KG01 , 4G047KG04 , 4G048AA03 , 4G048AB04 , 4G048AC04 , 4G048AD02 , 4G048AE05 , 5G321AA02 , 5G321AA04 , 5G321BA11 , 5G321CA04 , 5G321CA18 , 5G321CA21 , 5G321CA24 , 5G321CA27 , 5G321CA52 , 5G321DB22 , 5G321DB25 , 5G321DB36 , 5G321DB37 , 5G321DB39 , 5G321DB40

引用特許：

出願人引用 (3件)

超電導線材
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-037373 出願人：中部電力株式会社, 田中貴金属工業株式会社
エピタキシャル膜形成用配向基板及びエピタキシャル膜形成用配向基板の表面改質方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2007-214364 出願人：中部電力株式会社, 田中貴金属工業株式会社
酸化物超電導線材およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-348192 出願人：古河電気工業株式会社, 財団法人国際超電導産業技術研究センター

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