特許
J-GLOBAL ID:200903050692162385
酸化物超電導線材およびその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
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代理人 (1件):
鈴江 武彦 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-348192
公開番号(公開出願番号):特開2002-150855
出願日: 2000年11月15日
公開日(公表日): 2002年05月24日
要約:
【要約】【課題】 長尺の超電導線材の全体にわたって安定して優れた結晶性を有し、高い臨界電流密度を示す酸化物超電導膜を有する超電導線材およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 {100}<001>方位に配向した集合組織を有する多結晶金属基体(1)と、この多結晶金属基体(1)の表面に形成された酸化物バッファー層(2,3)と、この酸化物バッファー層(2,3)上に形成された酸化物超電導層(4)とを具備する超電導線材であって、前記酸化物バッファー層(2,3)が、前記多結晶金属基体(1)の表面酸化物層であるとともに、その表面粗さがR<SB>max </SB>=0.15μm以下である第1の酸化物バッファー層(2)と、この第1の酸化物バッファー層(2)上に形成された第2の酸化物バッファー層(3)とから構成されることを特徴とする。
請求項(抜粋):
{100}<001>方位に配向した集合組織を有する多結晶金属基体と、この多結晶金属基体の表面に形成された酸化物バッファー層と、この酸化物バッファー層上に形成された酸化物超電導層とを具備する超電導線材であって、前記酸化物バッファー層が、前記多結晶金属基体の表面酸化物層であるとともに、その表面粗さがR<SB>max </SB>=0.15μm以下である第1の酸化物バッファー層と、この第1の酸化物バッファー層上に形成された第2の酸化物バッファー層とから構成されることを特徴とする酸化物超電導線材。
IPC (3件):
H01B 12/06 ZAA
, C23C 14/08
, H01B 13/00 565
FI (4件):
H01B 12/06 ZAA
, C23C 14/08 L
, C23C 14/08 N
, H01B 13/00 565 D
Fターム (20件):
4K029BA12
, 4K029BA25
, 4K029BA50
, 4K029BB02
, 4K029BC04
, 4K029CA01
, 4K029DB20
, 4K029FA03
, 4K029FA06
, 5G321AA01
, 5G321AA04
, 5G321BA01
, 5G321BA03
, 5G321CA04
, 5G321CA18
, 5G321CA21
, 5G321CA24
, 5G321CA27
, 5G321CA28
, 5G321DB37
引用特許:
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