特許

J-GLOBAL ID：201303026421812591

データ読出装置

発明者： 渡邊 考太郎 ,  見谷 真
出願人/特許権者： セイコーインスツル株式会社
代理人 (3件)： 久原 健太郎 ,  内野 則彰 ,  木村 信行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-268876
公開番号（公開出願番号）：特開2013-120613
出願日： 2011年12月08日
公開日（公表日）： 2013年06月17日
要約：

【課題】電源投入後あるいはリセット解除後に必要最小限の遅延幅で被調整回路に不揮発性記憶素子のデータを反映し、かつ、静電気による誤書込みを防止する。【解決手段】電源投入信号やリセット解除信号が発生した後に遅延を持たせてデータ読出信号を出力する遅延回路を追加する。遅延時間T2と静電気収束時間T1は、T1<T2の関係が保たれるように設定する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

データ読出装置であって、 データ読み出しを行うタイミングを生成する為の源振となる水晶発振回路と、 前記源振を分周する分周回路と、 前記分周回路で生成される任意の周波数信号を用いて前記水晶発振回路が発振しているかを検出する発振停止検出回路と、 データ読み出し信号を出力する読出信号生成回路と、 前記データ読み出し信号を遅延させる遅延回路と、 不揮発性記憶素子を含むデータ読出回路と、を備え、 前記読出信号発生回路は第1読出信号と第2読出信号を出力し、前記データ読出回路は前記第1読出信号と前記遅延回路で遅延された前記第2読出信号が入力されることを特徴とするデータ読出装置。

IPC (1件)：

G11C 16/02

FI (3件)：

G11C17/00 601Q ,  G11C17/00 613 ,  G11C17/00 601D

Fターム (8件)：

5B125CA12 ,  5B125CA26 ,  5B125DA09 ,  5B125DE12 ,  5B125DE13 ,  5B125EF10 ,  5B125EJ04 ,  5B125FA02

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-288651   出願人：株式会社東芝