特許
J-GLOBAL ID：201303027110373884

半導体装置及びその製造方法

発明者：
松倉 祐輔

松倉 祐輔 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (2件)： 北野 好人 ,  三村 治彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-095345
公開番号（公開出願番号）：特開2013-222922
出願日： 2012年04月19日
公開日（公表日）： 2013年10月28日
要約：
【課題】Sbを含む化合物半導体に好適な表面処理を含む半導体装置の製造方法並びにそれにより製造される高性能の半導体装置を提供する。【解決手段】Sbを構成元素に含む化合物半導体の表面を無機溶液により処理し、前記無機溶液による処理に引き続き、化合物半導体の表面をハロゲン元素を含有する有機溶液により処理し、保護膜を形成する。ここで、前記保護膜は、前記化合物半導体の自然酸化膜であり、ハロゲン元素を含有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
Sbを構成元素に含む化合物半導体の表面を、無機溶液により処理する工程と、 前記無機溶液による処理に引き続き、前記化合物半導体の前記表面を、ハロゲン元素を含有する有機溶液により処理する工程と を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (7件)：
H01L 21/316 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812 ,  H01L 31/10 ,  H01L 33/30 ,  H01L 33/44
FI (5件)：
H01L21/316 U ,  H01L29/80 H ,  H01L31/10 A ,  H01L33/00 184 ,  H01L33/00 300
Fターム (35件)：
5F049MB07 ,  5F049PA20 ,  5F049QA16 ,  5F049SS04 ,  5F049WA01 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BC04 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD06 ,  5F058BF69 ,  5F102FA05 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GN04 ,  5F102GQ03 ,  5F102GQ09 ,  5F102GR04 ,  5F102GV05 ,  5F102GV06 ,  5F102GV07 ,  5F102GV09 ,  5F102HC01 ,  5F141AA03 ,  5F141CA05 ,  5F141CA34 ,  5F141CA66 ,  5F141CA74 ,  5F141CB11
引用特許：
審査官引用 (4件)
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