特許

J-GLOBAL ID：201303027225716971

窒化アルミニウム結晶の製造方法

発明者： 福山 博之 ,  安達 正芳 ,  田中 明和 ,  杉山 正史
出願人/特許権者： 住友金属鉱山株式会社 ,  国立大学法人東北大学
代理人 (5件)： 小池 晃 ,  伊賀 誠司 ,  藤井 稔也 ,  野口 信博 ,  祐成 篤哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-038431
公開番号（公開出願番号）：特開2013-173638
出願日： 2012年02月24日
公開日（公表日）： 2013年09月05日
要約：

【課題】シード基板上に安定して良質な窒化アルミニウム結晶をエピタキシャル成長させることができる、液相成長法による窒化アルミニウム結晶の製造方法を提供する。【解決手段】Ga-Al合金融液4に窒素ガスを導入し、Ga-Al合金融液4中のシード基板3上に窒化アルミニウム結晶をエピタキシャル成長させる方法において、前記Ga-Al合金融液4中に注入する窒素含有ガスの酸素分圧を1×10-17atmより大きく(高く)することより、前記シード基板3上にシード基板3表面の良好な結晶性を引き継ぎかつAl極性を有する窒化アルミニウム結晶。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

Ga-Al合金融液に、N原子を含有し、酸素分圧が1×10-17atmより大きなガスを導入し、該Ga-Al合金融液中の種結晶基板上に窒化アルミニウム結晶をエピタキシャル成長させることを特徴とする窒化アルミニウム結晶の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/38 ,  C30B 19/04 ,  H01L 21/208

FI (3件)：

C30B29/38 C ,  C30B19/04 ,  H01L21/208 D

Fターム (23件)：

4G077AA03 ,  4G077BE13 ,  4G077CG02 ,  4G077CG07 ,  4G077EA07 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077HA02 ,  4G077HA12 ,  4G077QA04 ,  4G077QA12 ,  4G077QA34 ,  4G077QA72 ,  5F053AA03 ,  5F053AA48 ,  5F053BB04 ,  5F053BB57 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053GG02 ,  5F053HH05 ,  5F053RR05 ,  5F053RR20

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 窒化アルミニウム単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-221168   出願人：住友金属工業株式会社