特許
J-GLOBAL ID：201303027330295221

記憶装置

発明者：
黒川 義元

黒川 義元 について


出願人/特許権者：
株式会社半導体エネルギー研究所

株式会社半導体エネルギー研究所 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-003145
公開番号（公開出願番号）：特開2013-168638
出願日： 2013年01月11日
公開日（公表日）： 2013年08月29日
要約：
【課題】高集積化され、高速動作が可能な記憶装置を提供する。【解決手段】駆動回路と、該駆動回路上に積層して設けられた複数のメモリセルと、を有する記憶装置の複数のメモリセルのそれぞれを、一の電極により電気的に接続する。このとき、前記駆動回路には高速動作が求められ、前記メモリセルのトランジスタにはオフ電流が小さいことが求められるため、具体的には、前記駆動回路のトランジスタが単結晶半導体(例えば、単結晶シリコン)により設けられ、前記複数のメモリセルのトランジスタが酸化物半導体により設けられているとよい。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
駆動回路と、該駆動回路上に積層して設けられた複数のメモリセルと、を有し、 前記複数のメモリセルのそれぞれは、一の電極により電気的に接続されていることを特徴とする記憶装置。
IPC (4件)：
H01L 21/824 ,  H01L 27/108 ,  H01L 29/786 ,  H01L 27/10
FI (4件)：
H01L27/10 321 ,  H01L29/78 613B ,  H01L29/78 618B ,  H01L27/10 481
Fターム (128件)：
5F083AD02 ,  5F083AD10 ,  5F083AD21 ,  5F083AD49 ,  5F083AD53 ,  5F083AD69 ,  5F083GA01 ,  5F083GA06 ,  5F083GA10 ,  5F083GA27 ,  5F083HA02 ,  5F083HA06 ,  5F083HA10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA03 ,  5F083JA04 ,  5F083JA05 ,  5F083JA12 ,  5F083JA19 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA56 ,  5F083JA60 ,  5F083KA01 ,  5F083KA19 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083PR05 ,  5F083PR06 ,  5F083PR12 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083PR36 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA04 ,  5F083ZA08 ,  5F110AA06 ,  5F110BB05 ,  5F110CC01 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD04 ,  5F110DD05 ,  5F110DD12 ,  5F110DD13 ,  5F110DD14 ,  5F110DD15 ,  5F110DD17 ,  5F110DD25 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE09 ,  5F110EE14 ,  5F110EE31 ,  5F110EE38 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110EE45 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF25 ,  5F110FF26 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF36 ,  5F110GG01 ,  5F110GG02 ,  5F110GG03 ,  5F110GG04 ,  5F110GG05 ,  5F110GG12 ,  5F110GG13 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG16 ,  5F110GG17 ,  5F110GG25 ,  5F110GG32 ,  5F110GG33 ,  5F110GG34 ,  5F110GG43 ,  5F110GG57 ,  5F110GG58 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ23 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK08 ,  5F110HK09 ,  5F110HK14 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110HK34 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL08 ,  5F110HL11 ,  5F110HL22 ,  5F110HL23 ,  5F110HL24 ,  5F110HM03 ,  5F110HM15 ,  5F110NN03 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN28 ,  5F110NN40 ,  5F110NN72 ,  5F110NN78 ,  5F110QQ11 ,  5F110QQ17 ,  5F110QQ19
引用特許：
出願人引用 (4件)
  • 半導体装置の作製方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-303618   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
  • 半導体装置の作製方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-084321   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-202466   出願人：エルピーダメモリ株式会社
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審査官引用 (4件)
  • 半導体装置の作製方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-303618   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
  • 半導体装置の作製方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-084321   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2011-202466   出願人：エルピーダメモリ株式会社
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