半導体素子

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：吉竹英俊 , 有田貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-273005
公開番号（公開出願番号）：特開2013-051453
出願日： 2012年12月14日
公開日（公表日）： 2013年03月14日
要約：

【課題】III族窒化物半導体を用いて形成され、優れた特性を有する半導体素子を提供する。【解決手段】半導体素子が、ワイドバンドギャップ材料を用いて電子を多数キャリアとするように構成されてなる第1半導体層の一方主面上に、それぞれが電気的に接続されてなる複数の単位アノード部、を有するアノード部と、それぞれが電気的に接続されてなる複数の単位カソード電極、を有するカソード部と、を備え、複数の単位アノード部のそれぞれと複数の単位カソード電極のそれぞれとが交互に配置された電極列が形成されてなり、複数の単位アノード部のそれぞれの、少なくとも第1半導体層と接合する部分が、所定の半導体材料を用いて正孔を多数キャリアとするように構成されてなる第2半導体層であり、第1半導体層と第2半導体層との接合部においてはP-N接合が形成されてなる、ようにした。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

半導体素子であって、ワイドバンドギャップ材料を用いて電子を多数キャリアとするように構成されてなる第1半導体層と、前記半導体素子においてアノードとして作用し、前記第1半導体層の一方の主面上に接合形成されてなり、それぞれが電気的に接続されてなる複数の単位アノード部、を有するアノード部と、前記半導体素子においてカソードとして作用し、前記主面上に接合形成されてなり、それぞれが電気的に接続されてなる複数の単位カソード電極、を有するカソード部と、を備え、前記主面上においては、前記複数の単位アノード部のそれぞれと前記複数の単位カソード電極のそれぞれとが交互に配置された電極列が形成されてなり、前記複数の単位アノード部のそれぞれの、少なくとも前記第1半導体層と接合する部分が、所定の半導体材料を用いて正孔を多数キャリアとするように構成されてなる第2半導体層であり、前記第1半導体層と前記第2半導体層との接合部においてはP-N接合が形成されてなる、ことを特徴とする半導体素子。

IPC (6件)：

H01L 29/861 , H01L 29/868 , H01L 29/06 , H01L 21/28 , H01L 29/47 , H01L 29/872

FI (7件)：

H01L29/91 F , H01L29/91 D , H01L29/91 H , H01L29/06 301G , H01L21/28 301B , H01L29/48 F , H01L29/48 D

Fターム (23件)：

4M104AA01 , 4M104AA03 , 4M104AA04 , 4M104AA07 , 4M104AA09 , 4M104BB02 , 4M104BB05 , 4M104BB14 , 4M104CC03 , 4M104DD17 , 4M104DD34 , 4M104DD78 , 4M104EE05 , 4M104EE17 , 4M104FF03 , 4M104FF06 , 4M104FF13 , 4M104GG02 , 4M104GG03 , 4M104GG07 , 4M104GG18 , 4M104HH14 , 4M104HH20

引用特許：

出願人引用 (1件)

III族窒化物半導体およびpn接合ダイオードの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-064124 出願人：富士電機株式会社

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