特許
J-GLOBAL ID：201303028617397889
集積型薄膜素子の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
藤島 洋一郎
, 三反崎 泰司
, 長谷部 政男
, 田名網 孝昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-224853
公開番号（公開出願番号）：特開2013-009016
出願日： 2012年10月10日
公開日（公表日）： 2013年01月10日
要約：
【課題】製造歩留りおよびスループットの向上が可能な集積型薄膜素子の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板の一表面に多孔質半導体層を形成する工程と、前記多孔質半導体層上に半導体層を形成し、前記半導体層に複数の薄膜素子を形成する工程と、前記複数の薄膜素子を、前記多孔質半導体層を利用して前記半導体基板から剥離する工程と、剥離された前記複数の薄膜素子の裏面側に接着層を介して裏面保護フィルムを接着させる工程と、前記半導体層のレーザエッチングにより、前記複数の薄膜素子の間にエッチング溝を形成する工程と、前記エッチング溝を利用した前記半導体層の劈開により素子分離溝を形成すると共に、前記複数の薄膜素子を前記劈開の前後を通じて前記裏面保護フィルム上の同一の位置に保持する工程とを含む集積型薄膜素子の製造方法。【選択図】図11
請求項（抜粋）：
半導体基板の一表面に多孔質半導体層を形成する工程と、
前記多孔質半導体層上に半導体層を形成し、前記半導体層に複数の薄膜素子を形成する工程と、
前記複数の薄膜素子を、前記多孔質半導体層を利用して前記半導体基板から剥離する工程と、
剥離された前記複数の薄膜素子の裏面側に接着層を介して裏面保護フィルムを接着させる工程と、
前記半導体層のレーザエッチングにより、前記複数の薄膜素子の間にエッチング溝を形成する工程と、
前記エッチング溝を利用した前記半導体層の劈開により素子分離溝を形成すると共に、前記複数の薄膜素子を前記劈開の前後を通じて前記裏面保護フィルム上の同一の位置に保持する工程と
を含む集積型薄膜素子の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (21件)：
5F151AA02
, 5F151AA03
, 5F151AA05
, 5F151CB12
, 5F151CB15
, 5F151CB19
, 5F151CB20
, 5F151CB21
, 5F151CB30
, 5F151DA03
, 5F151EA09
, 5F151EA15
, 5F151FA10
, 5F151GA04
, 5F151HA03
, 5F151JA03
, 5F151JA04
, 5F151JA05
, 5F151JA07
, 5F151JA08
, 5F151JA23
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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