特許
J-GLOBAL ID：201303029441798470

磁気トンネル接合構造体を形成する方法

発明者：
シャ・リ

シャ・リ について

, 
スン・エイチ.・カン

スン・エイチ.・カン について

, 
シャオチュン・ジュ

シャオチュン・ジュ について


出願人/特許権者：
クゥアルコム・インコーポレイテッド

クゥアルコム・インコーポレイテッド について


代理人 (13件)： 蔵田 昌俊 ,  福原 淑弘 ,  中村 誠 ,  野河 信久 ,  峰 隆司 ,  河野 直樹 ,  砂川 克 ,  井関 守三 ,  赤穂 隆雄 ,  井上 正 ,  佐藤 立志 ,  岡田 貴志 ,  堀内 美保子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-155869
公開番号（公開出願番号）：特開2013-243395
出願日： 2013年07月26日
公開日（公表日）： 2013年12月05日
要約：
【課題】磁気トンネル接合構造体を形成する方法を提供する。【解決手段】底部電極502とMTJスタック504と上部電極506の堆積の後、上部電極506上に犠牲層508が堆積される。上部電極506と底部電極502は、タンタル(Ta)、チタン(Ti)、ルテニウム(Ru)、他の導電性金属、またはそれらの任意の組み合わせから堆積される。犠牲層508は、オキシ窒化ケイ素、シリコンカーボン、窒化ケイ素、窒化チタン、またはそれらの任意の組み合わせで堆積され得る。リソグラフィックプロセスを使用してパターン定義が適用され、パターン定義とハードマスク512にしたがってハードマスクエッチングプロセスがMTJ構造体500におこなわれる。ハードマスクとしての犠牲層と上部電極を使用してパターン定義を適用した後で、さらにパターン定義にしたがってMTJスタック504の一部を除去する。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
導電性層を有する磁気トンネル接合(MTJ)構造体を基板上に形成することと、 パターニング膜層を堆積する前に犠牲層を導電性層上に堆積することを有する方法。
IPC (5件)：
H01L 43/12 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08 ,  H01L 43/10
FI (4件)：
H01L43/12 ,  H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/10
Fターム (16件)：
4M119AA06 ,  4M119AA19 ,  4M119BB01 ,  4M119JJ11 ,  4M119JJ15 ,  4M119KK09 ,  5F092AA06 ,  5F092AA11 ,  5F092AB06 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092BB55 ,  5F092BB81 ,  5F092BE27 ,  5F092CA06 ,  5F092CA20
引用特許：
出願人引用 (8件)
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審査官引用 (9件)
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