特許
J-GLOBAL ID：201303029571859587
超音波イメージングデバイスに使用される超音波トランスデューサを製造する方法、およびその方法によって製造された超音波トランスデューサおよび超音波プローブ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森下 賢樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-046132
公開番号（公開出願番号）：特開2013-184064
出願日： 2013年03月08日
公開日（公表日）： 2013年09月19日
要約：
【課題】イメージング解像度を低下させることなく制限された寸法を有する超音波トランスデューサを製造する改良された方法を提供する。【解決手段】導体パッドの二次元アレイと、超音波トランスデューサの外部でのさらなる処理のために導体パッドと接続された電気回路と、を備える半導体材料のキャリアを提供するステップを含む。次に、圧電材料を含む層がキャリア上に提供され、その層は導体パッドの二次元アレイを覆う。キャリア上の二次元アレイをダイシングすることによって複数のトランスデューサ要素のそれぞれが分離される。最後に、各トランスデューサ要素を接地するために複数のトランスデューサ要素上に接地層が提供される。ここで、キャリアと圧電材料を含む層との間にバッファ層が提供される。バッファ層はキャリア上の複数のトランスデューサ要素のそれぞれをダイシングするのに適した厚さを有する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体材料の単一キャリア上に二次元アレイ状に配列された複数のトランスデューサ要素を含む超音波イメージングデバイスに使用される超音波トランスデューサの製造方法であって、前記超音波トランスデューサは複数の層を備えており、当該製造方法は、
導体パッドの二次元アレイと、前記超音波トランスデューサの外部でのさらなる処理のために前記導体パッドと接続された電気回路と、を備える半導体材料の前記キャリアを提供するステップと、
圧電材料を含む層であって導体パッドの前記二次元アレイを覆う層を、前記キャリア上に提供するステップと、
前記キャリア上の前記二次元アレイをダイシングすることによって前記複数のトランスデューサ要素のそれぞれを分離するステップと、
各トランスデューサ要素を接地するために前記複数のトランスデューサ要素上に接地層を提供するステップと、
前記キャリアと前記圧電材料を含む前記層との間にバッファ層を提供するステップと、を含み、
前記バッファ層は前記キャリア上の前記複数のトランスデューサ要素のそれぞれをダイシングするのに適した厚さを有する製造方法。
IPC (3件)：
A61B 8/00
, H04R 31/00
, H04R 17/00
A61B8/00
, H04R31/00 330
, H04R17/00 332A
, H04R17/00 330H
4C601BB03
, 4C601DD15
, 4C601EE12
, 4C601EE13
, 4C601FE01
, 4C601GB06
, 4C601GB11
, 4C601GB18
, 4C601GB41
, 4C601GB50
, 5D019AA26
, 5D019BB19
, 5D019BB28
, 5D019FF04
, 5D019HH01
