特許

J-GLOBAL ID：201303029827803410

有機金属化学気相成長法による、高品質のN面GaN、InNおよびAlNならびにそれらの合金のヘテロエピタキシャル成長の方法

発明者： ステーシア ケラー ,  ウメシュ ケー. ミシュラ ,  ニコラス エー. フィシュテンバーム
出願人/特許権者： ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア
代理人 (2件)： 山本 秀策 ,  森下 夏樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-004398
公開番号（公開出願番号）：特開2013-100227
出願日： 2013年01月15日
公開日（公表日）： 2013年05月23日
要約：

【課題】好適な有機金属化学気相成長法による、高品質のN面GaN、InNおよびAlNならびにそれらの合金のヘテロエピタキシャル成長の方法を提供する。【解決手段】N面III族窒化物膜を成長させるための方法であって、(a)ミラー指数結晶面に対して誤配向角を伴う成長表面を有する基板を提供すること、(b)前記成長表面上または前記成長表面の上方で層を形成することであって、前記層は、前記層上で形成される1つ以上の後続の層に対するN極性配向を設定すること、および、(c)前記層上でN面III族窒化物膜を成長させることであって、前記N面III族窒化物膜は、前記層によって設定されるN極性配向を有することを含む。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

N面III族窒化物膜を成長させるための方法であって、 前記方法は、 (a)ミラー指数結晶面に対して誤配向角を伴う成長表面を有する基板を提供することと、 (b)前記成長表面上または前記成長表面の上方で層を形成することであって、前記層は、前記層上で形成される1つ以上の後続の層に対するN極性配向を設定する、ことと、 (c)前記層上でN面III族窒化物膜を成長させることであって、前記N面III族窒化物膜は、前記層によって設定されるN極性配向を有する、ことと を含む、方法。

IPC (7件)：

C30B 29/38 ,  C30B 25/18 ,  C23C 16/34 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/32 ,  H01S 5/323 ,  H01L 33/16

FI (7件)：

C30B29/38 D ,  C30B25/18 ,  C23C16/34 ,  H01L21/205 ,  H01L33/00 186 ,  H01S5/323 610 ,  H01L33/00 160

Fターム (55件)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB08 ,  4G077ED06 ,  4G077EF03 ,  4G077HA12 ,  4G077TB05 ,  4G077TC02 ,  4G077TC13 ,  4G077TC19 ,  4G077TK01 ,  4G077TK08 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA02 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030LA14 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB16 ,  5F045CA06 ,  5F045CA09 ,  5F045DA53 ,  5F045EB15 ,  5F141AA40 ,  5F141CA40 ,  5F141CA51 ,  5F141CA65 ,  5F173AG13 ,  5F173AH22 ,  5F173AH48 ,  5F173AH49 ,  5F173AJ23 ,  5F173AP06 ,  5F173AP24 ,  5F173AR82

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特許第6624452号
  
• 窒化物系化合物半導体の結晶成長方法、発光素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-179298   出願人：シャープ株式会社