特許
J-GLOBAL ID：200903002327983820
窒化物系化合物半導体の結晶成長方法、発光素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 隆彌
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-179298
公開番号（公開出願番号）：特開2000-082676
出願日： 1999年06月25日
公開日（公表日）： 2000年03月21日
要約：
【要約】【課題】 C軸に対して僅かに傾斜させたサファイア基板を用いることにより、エピタキシャル成長した窒化物系化合物半導体結晶の品質を向上し、極めて平滑な表面状態を提供する。【解決手段】 <0001>方向より0.05°から0.2°傾斜させた鏡面研磨サファイア001を基板とする。傾斜角を0.05°から0.2°に保つことによりサファイア基板上のステップ密度を最適に制御し、極めて平坦かつ欠陥密度を低減し、電気的光学的特性を向上した窒化物系化合物半導体膜が得られる。本発明で言う窒化物系化合物半導体とは、一般式In<SB>x</SB>Ga<SB>y</SB>Al<SB>z</SB>N(x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される化合物を意味する。
請求項（抜粋）：
基板上に窒化物系化合物半導体の結晶を気相成長させる結晶成長方法であって、前記基板表面の結晶方位が<0001>方向より0.05°以上0.2°以下の範囲で傾斜していることを特徴とする窒化物系化合物半導体の結晶成長方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 33/00
, H01S 5/323
H01L 21/205
, H01L 33/00 C
, H01S 3/18 673
