III族窒化物半導体積層基板およびIII族窒化物半導体電界効果トランジスタ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：山崎宏 , 田中光雄 , 仲倉幸典 , 磯江悦子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-101379
公開番号（公開出願番号）：特開2013-229493
出願日： 2012年04月26日
公開日（公表日）： 2013年11月07日
要約：

【課題】電流コラプスのより一層の抑制を可能にすることができるIII族窒化物半導体積層基板を提供する。【解決手段】このIII族窒化物半導体積層基板100では、AlGaN障壁層6は、表面からの深さが10nm以下の表層領域でのCu濃度が、1.0×1010(原子数/cm2)以下である。このIII族窒化物半導体積層基板100を備えた窒化物半導体装置(GaN系HFET)によれば、コラプス値1.18を達成できた。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

III族窒化物半導体であるチャネル層と、上記チャネル層上に形成され、上記チャネル層とヘテロ界面を形成すると共にIII族窒化物半導体である障壁層とを備え、上記障壁層は、表面からの深さが10nm以下の領域でのCu濃度が、1.0×1010(原子数/cm2)以下であることを特徴とするIII族窒化物半導体積層基板。

IPC (5件)：

H01L 21/338 , H01L 29/778 , H01L 29/812 , H01L 21/205 , C23C 16/34

FI (3件)：

H01L29/80 H , H01L21/205 , C23C16/34

Fターム (43件)：

4K030AA11 , 4K030AA13 , 4K030BA02 , 4K030BA08 , 4K030BA38 , 4K030BB02 , 4K030BB12 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030FA10 , 4K030LA14 , 5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AC19 , 5F045AD15 , 5F045AE25 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045AF05 , 5F045CA07 , 5F045DA53 , 5F045DA54 , 5F045DP04 , 5F045EB15 , 5F045EK07 , 5F102FA02 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ03 , 5F102GK04 , 5F102GK08 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM08 , 5F102GQ01 , 5F102GS01 , 5F102GT01 , 5F102GT03 , 5F102GT06 , 5F102GV08

引用特許：

審査官引用 (8件)

III族窒化物単結晶の製造方法および製造装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2004-211379 出願人：日本碍子株式会社
電界効果トランジスタおよびその製造方法
公報種別：再公表公報出願番号：JP2006313296 出願人：日本電気株式会社
窒化物系半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-096618 出願人：次世代パワーデバイス技術研究組合

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