III族窒化物単結晶の製造方法および製造装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：吉田茂明 , 吉竹英俊 , 有田貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-211379
公開番号（公開出願番号）：特開2005-060216
出願日： 2004年07月20日
公開日（公表日）： 2005年03月10日
要約：

【課題】高品質のGaN単結晶を高速に育成する。【解決手段】2000気圧以上となっても気密状態を維持可能な高圧容器4の内部には、反応容器8およびヒータ9が設けられる。高圧容器4の内部には、ガス導入口2から3000気圧に加圧された窒素ガスが導入される。窒素ガスの導入後、SiC単結晶の上にAlNエピタキシャル層が形成された基材S1〜S4は、1000°Cに加熱されたガリウム、ナトリウムおよびカルシウムの合金融液Mに浸漬される。これにより、基材S1〜S4の上に約10mm厚のGaN単結晶が育成された。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

液相エピタキシャル成長法によるIII族窒化物単結晶の製造方法であって、所定の保持容器の内容物を加熱して合金融液を生成する生成工程と、 2000気圧以上に加圧した窒素元素含有気体を用いて、前記合金融液に前記窒素元素含有気体を溶解させる溶解工程と、前記溶解工程の前、後および同時のいずれかのタイミングで所定の基材と前記合金融液とを接触させる接触工程と、前記接触工程を経た後の前記基材の上にIII族窒化物単結晶をエピタキシャル成長させる成長工程と、を備え、前記合金融液は、 III族金属を1種類以上含む第1融液成分と、 1種類のアルカリ金属あるいは1種類のアルカリ土類金属からなる第2融液成分と、を含有することを特徴とするIII族窒化物単結晶の製造方法。

IPC (3件)：

C30B29/38 , C30B11/06 , H01L21/208

FI (3件)：

C30B29/38 D , C30B11/06 , H01L21/208 D

Fターム (21件)：

4G077AA03 , 4G077BE11 , 4G077BE13 , 4G077BE15 , 4G077CD05 , 4G077EA04 , 4G077EA06 , 4G077EE06 , 4G077EG25 , 4G077HA03 , 4G077HA06 , 4G077MB12 , 4G077MB21 , 4G077MB31 , 4G077MB35 , 5F053AA03 , 5F053AA44 , 5F053AA48 , 5F053BB03 , 5F053DD20 , 5F053GG01

引用特許：

出願人引用 (5件)

化合物半導体単結晶の製造方法及び製造装置並びに化合物半導体単結晶
公報種別：再公表公報出願番号：JP1998004924 出願人：株式会社ジャパンエナジー
窒化アルミニウム単結晶の合成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-101654 出願人：米屋勝利
特開平2-153896

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審査官引用 (6件)

窒化アルミニウム単結晶の合成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-101654 出願人：米屋勝利
特開平2-153896
特開平2-153896

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