特許
J-GLOBAL ID：201303033733996289
半導体装置の製造方法及び露光用マスクへのパターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
池上 徹真
, 須藤 章
, 松山 允之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-258791
公開番号（公開出願番号）：特開2013-068962
出願日： 2012年11月27日
公開日（公表日）： 2013年04月18日
要約：
【目的】半導体製造工程で生じる寸法変動をより正確に補正する方法を提供することを目的とする。【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、露光用マスクのパターン作成領域から仮想分割されたメッシュ状の複数のマス目領域のマス目領域毎に含まれるパターンの面積と、かかるパターンの外周の辺の長さの総和とを用いてCD寸法誤差を補正する補正量を算出する工程(S102〜S108)と、補正量が補正された寸法のパターンをレジスト膜が塗布された基板に露光する工程(S202)と、露光後に、レジスト膜を現像する工程(S204)と、現像後のレジストパターンを用いて、前記基板を加工する工程(S206〜S210)と、を備えたことを特徴とする。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体装置の一層分の回路を形成する露光工程を含む、パターンの寸法誤差が生じる複数の製造工程のうち、より後段側の製造工程から順に、後段の製造工程が存在する場合には後段の製造工程で生じる寸法誤差を補正する補正量で順に補正された寸法から、存在しない場合には設計寸法からの寸法誤差を補正する補正量を算出する工程と、
前記露光工程までの補正量が補正された寸法のパターンを露光用マスク上に形成する工程と、
を備えたことを特徴とする露光用マスクへのパターン形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F1/70
, H01L21/30 502P
2H095BA01
, 2H095BA10
, 2H095BB02
, 2H095BB08
, 2H095BB10
, 2H095BB36
, 2H095BC09
