特許
J-GLOBAL ID：201303034070010577

薄膜半導体チップ

発明者：
ベルトルト ハーン

ベルトルト ハーン について

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フォルカー ヘルレ

フォルカー ヘルレ について

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シュテファン カイザー

シュテファン カイザー について

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アンドレアス プレスル

アンドレアス プレスル について


出願人/特許権者：
オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング

オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング について


代理人 (2件)： アインゼル・フェリックス=ラインハルト ,  久野 琢也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-279713
公開番号（公開出願番号）：特開2013-070094
出願日： 2012年12月21日
公開日（公表日）： 2013年04月18日
要約：
【課題】構造高さの小さな薄膜半導体チップを後にウェハレベルで簡単にテストでき、また、構造高さが小さく、良好な機械的安定性を有する薄膜発光ダイオードチップを提供する。【解決手段】薄膜半導体チップ1が、電磁放射の形成に適した活性層体2と、活性層体2上の導電性かつ反射性のコンタクト材料層4と、導電性かつ反射性のコンタクト層4上のフレキシブルな導電性シート6から成る支持体層とを含み、導電性シート6はカーボンシートである。【選択図】図1F
請求項（抜粋）：
薄膜半導体チップ(1)であって、 前記薄膜半導体チップが、電磁放射の形成に適した活性層体(2)と、該活性層体(2)上の導電性かつ反射性のコンタクト層(4)と、該導電性かつ反射性のコンタクト層(4)上のフレキシブルな導電性シート(6)から成る支持体層とを含み、 前記導電性シート(6)はカーボンシートである ことを特徴とする薄膜半導体チップ(1)。
IPC (1件)：
H01L 33/02
FI (1件)：
H01L33/00 100
Fターム (8件)：
5F141AA42 ,  5F141AA46 ,  5F141AA47 ,  5F141CA40 ,  5F141CA76 ,  5F141CA77 ,  5F141CA88 ,  5F141CA92
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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