特許
J-GLOBAL ID：201303034087443671

半導体装置

発明者：
日山 一明

日山 一明 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (2件)： 吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-216533
公開番号（公開出願番号）：特開2013-077976
出願日： 2011年09月30日
公開日（公表日）： 2013年04月25日
要約：
【課題】スイッチング素子のターンオン直後における、過電流保護回路の誤動作防止と過電流検出遅れ防止とを両立させる。【解決手段】半導体装置は、スイッチング素子1のセンス端子に流れるセンス電流を電圧(センス電圧)に変換するセンス抵抗4と、センス電圧が閾値を越えたときにスイッチング素子1の保護動作を行う過電流保護回路3とを備える。過電流保護回路3は、上記閾値を、第1基準電圧VREF1またはそれよりも低い第2基準電圧VREF2に切り替えることができる。過電流保護回路3は、スイッチング素子1が定常状態のときは、上記閾値を第2基準電圧VREF2とし、スイッチング素子1のターンオン直後のミラー期間のときは、上記閾値を第1基準電圧VREF1に設定する。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
スイッチング素子と、 前記スイッチング素子に流れる主電流を分流したセンス電流を電圧に変換したセンス電圧を生成する受動素子と、 前記センス電圧が閾値を越えたときに前記スイッチング素子の保護動作を行う保護回路と、 前記スイッチング素子がターンオンした直後の一定期間、前記センス電圧が前記閾値に達しにくくする誤動作防止手段とを備え、 前記誤動作防止手段は、前記一定期間の間、前記受動素子が生成する、前記センス電流に対する前記センス電圧の大きさを小さくすることを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H03K 17/08 ,  H03K 17/56 ,  H02M 1/00
FI (3件)：
H03K17/08 Z ,  H03K17/56 Z ,  H02M1/00 H
Fターム (26件)：
5H740AA08 ,  5H740BA11 ,  5H740KK01 ,  5H740MM11 ,  5J055AX34 ,  5J055AX53 ,  5J055AX55 ,  5J055AX64 ,  5J055BX16 ,  5J055DX09 ,  5J055DX53 ,  5J055EX02 ,  5J055EY01 ,  5J055EY03 ,  5J055EY10 ,  5J055EZ03 ,  5J055EZ10 ,  5J055EZ14 ,  5J055EZ42 ,  5J055EZ50 ,  5J055FX04 ,  5J055FX13 ,  5J055FX32 ,  5J055FX38 ,  5J055GX01 ,  5J055GX05
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (1件)

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