特許
J-GLOBAL ID：201303034190382290
保磁力分布磁石の保磁力特定方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
平木 祐輔
, 関谷 三男
, 石川 滝治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-160189
公開番号（公開出願番号）：特開2013-024742
出願日： 2011年07月21日
公開日（公表日）： 2013年02月04日
要約：
【課題】保磁力分布磁石を破壊等することなく、当該保磁力分布磁石の任意部位(任意の仮想的に分割された領域)における保磁力(平均保磁力)を精度よく特定することのできる保磁力分布磁石の保磁力特定方法を提供する。【解決手段】本発明の保磁力特定方法は、保磁力分布磁石Eの任意平面に対して容易磁化方向に延びる複数の分割領域A1〜A7を仮想的に設定し、これを逆磁界付与装置10に配設して各分割領域に対応するサーチコイル3a〜3gによる測定結果から各分割領域に固有の減磁曲線を作成するステップ、それぞれの減磁曲線を2階微分して該減磁曲線における減磁開始点を示す変曲点の磁束密度Bxを特定するステップ、保磁力分布磁石の材料定数であるリコイル比μrを直線の勾配とし、残留磁束密度Br、保磁力Hxと磁束密度Bxの関係式であるBx=-μrHx+Brに既に特定されているBxを代入してその際のHxを求めるステップからなる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
保磁力分布磁石のうち、容易磁化方向に沿う方向で切断してできる平面内で保磁力が相違している保磁力分布磁石において、該平面における任意箇所の保磁力を特定する保磁力分布磁石の保磁力特定方法であって、
保磁力分布磁石の前記平面に対して容易磁化方向もしくは容易磁化方向に直交する方向に延びる複数の分割領域を仮想的に設定し、該保磁力分布磁石を逆磁界付与装置に配設するとともにそれぞれの前記分割領域に対応した位置にサーチコイルを配し、それぞれのサーチコイルによる測定結果から各分割領域に固有の減磁曲線を作成する第1のステップ、
作成されたそれぞれの前記減磁曲線を2階微分して該減磁曲線における減磁開始点を示す変曲点の磁束密度Bxを特定する第2のステップ、
前記保磁力分布磁石の材料定数であるリコイル比μrを直線の勾配とし、残留磁束密度Br、保磁力Hxと磁束密度Bxの関係式であるBx=-μrHx+Brに第2のステップで特定されたBxを代入してその際のHxを求める第3のステップからなり、
第2のステップで2以上の変曲点が特定された際には、第3のステップでそれぞれの変曲点に対応する保磁力Hxを特定し、特定された2以上の該保磁力Hxを有する2以上の小分割領域が前記分割領域内に存在することが特定される保磁力分布磁石の保磁力特定方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (2件)：
引用特許：
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