特許
J-GLOBAL ID：201303034473078740

バイポーラ半導体膜を備えたデバイス

発明者：
ゼナン バオ

ゼナン バオ について

, 
シャオチェン リンダ チェン

シャオチェン リンダ チェン について


出願人/特許権者：
アギア システムズ インコーポレーテッド

アギア システムズ インコーポレーテッド について


代理人 (12件)： 岡部 讓 ,  岡部 正夫 ,  加藤 伸晃 ,  産形 和央 ,  臼井 伸一 ,  藤野 育男 ,  越智 隆夫 ,  本宮 照久 ,  高梨 憲通 ,  朝日 伸光 ,  高橋 誠一郎 ,  吉澤 弘司
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-108267
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026336
特許番号：特許第5036101号
出願日： 2001年04月06日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 有機半導体層を備える電界効果トランジスタであって、該半導体層は、イオンを溶媒和にするか、あるいはイオンの電荷輸送を促進することができる機能部分を持った共役骨組構造を有するポリマーを含む、ホールおよび電子移送に有効なバイポーラポリマー膜を備える、電界効果トランジスタ。
IPC (8件)：
H01L 29/786 ( 200 6.01) ,  H01L 51/05 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8238 ( 200 6.01) ,  H01L 27/092 ( 200 6.01) ,  H01L 27/088 ( 200 6.01) ,  H01L 21/8234 ( 200 6.01) ,  H01L 29/78 ( 200 6.01) ,  H01L 21/336 ( 200 6.01)
FI (5件)：
H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/28 ,  H01L 27/08 321 A ,  H01L 27/08 102 A ,  H01L 29/78 301 Z
引用特許：
出願人引用 (3件)
  • 電界効果型トランジスタ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-011871   出願人：日本電気株式会社
  • インバータ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-057574   出願人：三菱電機株式会社, 住友化学工業株式会社
  • 有機薄膜トランジスタの製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-331398   出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
審査官引用 (3件)
  • 電界効果型トランジスタ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-011871   出願人：日本電気株式会社
  • インバータ
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-057574   出願人：三菱電機株式会社, 住友化学工業株式会社
  • 有機薄膜トランジスタの製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-331398   出願人：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド
引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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