特許
J-GLOBAL ID:201303036114025812
反射膜および/または透過膜、もしくは電気配線および/または電極に用いられるAg合金膜、並びにAg合金スパッタリングターゲットおよびAg合金フィラー
発明者:
,
,
出願人/特許権者:
代理人 (5件):
植木 久一
, 植木 久彦
, 菅河 忠志
, 伊藤 浩彰
, 竹岡 明美
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-171487
公開番号(公開出願番号):特開2013-177667
出願日: 2012年08月01日
公開日(公表日): 2013年09月09日
要約:
【課題】配線として必要な低い電気抵抗率が純Ag膜とほぼ同レベルであると共に、従来のAg合金膜よりも耐久性(具体的には、耐塩水性や耐ハロゲン性)および基板との密着性に優れており、好ましくは上記Ag合金膜をスパッタリング法によって成膜するときにはスパッタリング時の成膜速度が純Ag並みに速いAg合金膜を提供する。【解決手段】本発明に係る、反射膜および/または透過膜、もしくは電気配線および/または電極に用いられるAg合金膜は、Pd、Au、およびPtよりなる群から選択される少なくとも一種以上を0.1〜1.5原子%と;希土類元素の少なくとも一種以上、Bi、およびZnよりなる群から選択される少なくとも一種以上を0.02〜1.5原子%と、を含み、残部はAgおよび不可避不純物からなる。【選択図】なし
請求項(抜粋):
基板上に設けられ、反射膜および/または透過膜、もしくは電気配線および/または電極に用いられるAg合金膜であって、
前記Ag合金膜は、Pd、Au、およびPtよりなる群から選択される少なくとも一種以上を0.1〜1.5原子%と;希土類元素の少なくとも一種以上、Bi、およびZnよりなる群から選択される少なくとも一種以上を0.02〜1.5原子%と、を含み、残部はAgおよび不可避不純物からなることを特徴とするAg合金膜。
IPC (6件):
C22C 5/06
, B22F 1/00
, H01B 5/14
, H01B 5/00
, C23C 14/14
, C23C 14/34
FI (7件):
C22C5/06 Z
, B22F1/00 K
, H01B5/14 Z
, H01B5/14 A
, H01B5/00 F
, C23C14/14 D
, C23C14/34 A
Fターム (34件):
4K018BA01
, 4K018BB05
, 4K018KA29
, 4K018KA32
, 4K029AA09
, 4K029AA11
, 4K029AA24
, 4K029AA25
, 4K029BA22
, 4K029BC07
, 4K029BD09
, 4K029CA05
, 4K029DC04
, 4K029DC08
, 4K029DC34
, 4K029DC39
, 5G301AA01
, 5G301AA02
, 5G301AA05
, 5G301AA08
, 5G301AA11
, 5G301AA12
, 5G301AA16
, 5G301AA17
, 5G301AA23
, 5G301AB20
, 5G301AD10
, 5G307AA08
, 5G307FA01
, 5G307FA02
, 5G307FB02
, 5G307FC05
, 5G307GA06
, 5G307GC02
引用特許:
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