特許

J-GLOBAL ID：201303036683112197

高周波スイッチ回路、及び複合高周波スイッチ回路

発明者： 杉山 雄太 ,  和智 勇介
出願人/特許権者： 日立金属株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-140201
公開番号（公開出願番号）：特開2013-009138
出願日： 2011年06月24日
公開日（公表日）： 2013年01月10日
要約：

【課題】 ゲート-ボディ間の電圧がMOSFETの耐圧以下とすることが可能な高い信頼性を有する高周波スイッチ回路を実現する。【解決手段】 MOSFETと、前記MOSFETのゲート及びボディの電位を制御可能な制御回路を備えた高周波スイッチ回路であって、 前記制御回路はタイミング制御回路を備え、 前記タイミング制御回路は、前記高周波信号経路が接続状態から非接続状態に切り替わる時は、前記MOSFETのゲートの電位を切り替えた後にボディの電位を切り替えることが可能であり、かつ、非接続状態から接続状態に切り替わる時は、前記MOSFETのボディの電位を切り替えた後にゲートの電位を切り替えることが可能であることを特徴とする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

高周波信号経路に配置されたMOSFETと、前記MOSFETのゲート及びボディの電位を制御可能な制御回路を備えた高周波スイッチ回路であって、 前記制御回路はタイミング制御回路を備え、 前記タイミング制御回路は、前記高周波信号経路が接続状態から非接続状態に切り替わる時は、前記MOSFETのゲートの電位を切り替えた後にボディの電位を切り替えることが可能であり、かつ、非接続状態から接続状態に切り替わる時は、前記MOSFETのボディの電位を切り替えた後にゲートの電位を切り替えることが可能であることを特徴とする高周波スイッチ回路。

IPC (2件)：

H03K 17/00 ,  H03K 17/687

FI (2件)：

H03K17/00 D ,  H03K17/687 G

Fターム (18件)：

5J055AX32 ,  5J055AX64 ,  5J055BX05 ,  5J055BX17 ,  5J055CX03 ,  5J055DX22 ,  5J055DX61 ,  5J055EX02 ,  5J055EX04 ,  5J055EY01 ,  5J055EY10 ,  5J055EY21 ,  5J055EZ20 ,  5J055EZ31 ,  5J055EZ50 ,  5J055FX12 ,  5J055FX17 ,  5J055GX01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 高周波信号用スイッチ回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-185017   出願人：株式会社東芝
• アナログスイッチ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-336615   出願人：ソニー株式会社