特許
J-GLOBAL ID：201303036819057721

半導体発光装置

発明者：
杉崎 吉昭

杉崎 吉昭 について

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富澤 英之

富澤 英之 について

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小島 章弘

小島 章弘 について

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古山 英人

古山 英人 について

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島田 美代子

島田 美代子 について

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秋元 陽介

秋元 陽介 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-121333
公開番号（公開出願番号）：特開2013-247298
出願日： 2012年05月28日
公開日（公表日）： 2013年12月09日
要約：
【課題】実施形態は、ESD保護手段を内蔵した小型パッケージの半導体発光装置を提供する。【解決手段】実施形態に係る半導体発光装置は、第1の面と、その反対側の第2の面と、発光層と、を有する半導体層と、前記第2の面に設けられたp側電極と、n側電極と、を備える。また、前記第2の面側に設けられた第1の絶縁膜と、前記第1の絶縁膜上に設けられ前記p側電極と電気的に接続されたp側配線部と、前記第1の絶縁膜上に前記p側配線部から離間して設けられ、前記n側電極と電気的に接続されたn側配線部と、を備える。そして、前記n側配線部に向かって前記p側配線部に設けられた第1の突起の先端と、前記p側配線部に向かって前記n側配線部に設けられた第2の突起先端と、の間が、前記p側配線部と前記n側配線部との間の最小ギャップである。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1の面と、その反対側の第2の面と、発光層と、を有する半導体層と、 前記半導体層の前記発光層を含む領域における前記第2の面に設けられたp側電極と、 前記半導体層の前記発光層を含まない領域における前記第2の面に設けられたn側電極と、 前記第2の面側に設けられ、前記p側電極に通じる第1の開口と、前記n側電極に通じる第2の開口と、を有する第1の絶縁膜と、 前記第1の絶縁膜上に設けられ、前記第1の開口を介して前記p側電極と電気的に接続されたp側配線部と、 前記第1の絶縁膜上に前記p側配線部から離間して設けられ、前記第2の開口を介して前記n側電極と電気的に接続されたn側配線部と、 を備え、 前記n側配線部に向かって前記p側配線部に設けられた第1の突起の先端と、前記p側配線部に向かって前記n側配線部に設けられた第2の突起先端と、の間が、前記p側配線部と前記n側配線部との間の最小ギャップである半導体発光装置。
IPC (1件)：
H01L 33/38
FI (1件)：
H01L33/00 210
Fターム (17件)：
5F141AA11 ,  5F141AA23 ,  5F141AA47 ,  5F141CA04 ,  5F141CA13 ,  5F141CA40 ,  5F141CA65 ,  5F141CA74 ,  5F141CA76 ,  5F141CA77 ,  5F141CA82 ,  5F141CA92 ,  5F141CA93 ,  5F141CA98 ,  5F141CB15 ,  5F141CB33 ,  5F141CB36
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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