特許
J-GLOBAL ID：201303036912408658
縦型の誘電体層を有する半導体素子構造
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-146627
公開番号（公開出願番号）：特開2013-214773
出願日： 2013年07月12日
公開日（公表日）： 2013年10月17日
要約：
【課題】ドリフト制御ゾーン21の帯電を回避できる半導体素子を提供する。【解決手段】本発明の半導体素子は、第1面101、第2面102’、エッジ103、エッジ103に隣接するエッジ領域104を備える半導体ボディ100と、半導体ボディ100の垂直方向に伸びる第1誘電体層31によって互いに誘電的に絶縁されたドリフトゾーン11およびドリフト制御ゾーン21と、ドリフトゾーン11およびエッジ領域104に接触している、半導体ボディ100の第2面102’の領域にある第1接続ゾーン200と、ドリフトゾーン11と第1接続ゾーン200との間に配置された第3誘電体層43と、接続ゾーン24およびエッジ領域104の接続ゾーン71との間に接続された整流素子72とを含み、ドリフト制御ゾーン21は、少なくとも第2誘電体層32によってエッジ領域104から誘電的に絶縁されている。【選択図】図15
請求項（抜粋）：
第1面および第2面、エッジおよび上記エッジに水平方向において隣接するエッジ領域を備える半導体ボディと、
上記半導体ボディの垂直方向に伸びる第1誘電体層によって互いに誘電的に絶縁されたドリフトゾーンおよびドリフト制御ゾーンと、
上記ドリフトゾーンおよび上記エッジ領域に接触している、上記半導体ボディの第2面の領域にある第1接続ゾーンと、
上記ドリフト制御ゾーンおよび上記第1接続ゾーンの間に配置された第3誘電体層と、
上記第1面の領域内にある上記ドリフト制御ゾーンのコンタクトゾーン、および上記第1面の領域内にある上記エッジ領域のコンタクトゾーンの間に接続された整流素子とを含み、
上記ドリフト制御ゾーンは、少なくとも上記エッジ領域から第2誘電体層によって誘電的に絶縁されている、半導体素子。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, H01L 21/336
, H01L 29/06
H01L29/78 652G
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 652H
, H01L29/78 658K
, H01L29/78 658G
, H01L29/78 652F
, H01L29/78 658E
, H01L29/78 658F
, H01L29/78 654Z
, H01L29/78 652P
