特許
J-GLOBAL ID:201303036942808197

キャパシタ構造体の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (3件): 池田 憲保 ,  福田 修一 ,  佐々木 敬
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-091205
公開番号(公開出願番号):特開2013-141045
出願日: 2013年04月24日
公開日(公表日): 2013年07月18日
要約:
【課題】貫通電極の変形によりキャパシタが破壊するのを防止するキャパシタ構造体の製造方法を提供する。【解決手段】基板1に貫通孔を形成し、貫通孔の上部にキャビティー部3を形成し、貫通孔に導体を充填することにより、基板1の内部を貫通する貫通電極2を形成し、基板1の上部であって、キャビティー部3の外側にキャパシタ4を形成するキャパシタ構造体100の製造方法。【選択図】図1
請求項(抜粋):
基板に貫通孔を形成し、 貫通孔の上部にキャビティー部を形成し、 貫通孔に導体を充填することにより、基板の内部を貫通する貫通電極を形成し、 基板の上部であって、キャビティー部の外側にキャパシタを形成することを特徴とするキャパシタ構造体の製造方法。
IPC (1件):
H01L 23/12
FI (1件):
H01L23/12 B
引用特許:
審査官引用 (4件)
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