特許

J-GLOBAL ID：201303037082128181

光電池用途のための反射防止コーティング

発明者： パトリック ティモシー ハーレイ ,  ロバート ゴードン リッジウェイ ,  レイモンド ニコラス バーティス ,  マーク レオナルド オニール ,  アンドリュー デイビッド ジョンソン
出願人/特許権者： エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド
代理人 (6件)： 青木 篤 ,  石田 敬 ,  古賀 哲次 ,  永坂 友康 ,  小林 良博 ,  出野 知
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-171080
公開番号（公開出願番号）：特開2013-238890
出願日： 2013年08月21日
公開日（公表日）： 2013年11月28日
要約：

【課題】p-n接合を含むシリコン基材を含む光起電力素子を製造するための方法を提供する。【解決手段】有機シラン、アミノシラン及びそれらの混合物からなる群より選択される前駆体を含む組成物を化学気相成長させることにより、シリコン基材の少なくとも一方の表面上に非晶質炭化ケイ素の反射防止コーティングを形成する工程を含み、該非晶質炭化ケイ素の反射防止コーティングが、式SivCxNuHyFzによって表される膜であって、式中、v+x+u+y+z=100%、vが1〜35原子%、xが5〜80原子%、uが0〜50原子%、yが10〜50原子%、及びzが0〜15原子%である、p-n接合を含むシリコン基材を含む光起電力素子を製造するための方法が提供される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

p-n接合を含むシリコン基材を含む光起電力素子を製造するための方法であって、 有機シラン、アミノシラン及びそれらの混合物からなる群より選択される前駆体を含む組成物を化学気相成長させることにより、シリコン基材の少なくとも一方の表面上に非晶質炭化ケイ素の反射防止コーティングを形成する工程を含み、 該非晶質炭化ケイ素の反射防止コーティングが、式SivCxNuHyFzによって表される膜であって、式中、v+x+u+y+z=100%、vが1〜35原子%、xが5〜80原子%、uが0〜50原子%、yが10〜50原子%、及びzが0〜15原子%である、方法。

IPC (3件)：

G02B 1/11 ,  H01L 31/04 ,  H01L 21/318

FI (3件)：

G02B1/10 A ,  H01L31/04 A ,  H01L21/318 B

Fターム (17件)：

2K009AA04 ,  2K009BB06 ,  2K009CC02 ,  2K009CC06 ,  2K009DD01 ,  2K009DD04 ,  2K009DD08 ,  5F058BC08 ,  5F058BC10 ,  5F058BF07 ,  5F058BF22 ,  5F058BF30 ,  5F151AA02 ,  5F151AA03 ,  5F151CB20 ,  5F151GA15 ,  5F151HA03

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 太陽電池およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-354938   出願人：ティーディーケイ株式会社
• 反射防止膜の条件決定方法、反射防止膜の形成方法、新規な反射防止膜を用いたレジストパターン形成方法、及び薄膜形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-359750   出願人：ソニー株式会社
• CVD炭窒化ケイ素膜用前駆体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-135313   出願人：エアプロダクツアンドケミカルズインコーポレイテッド