光半導体装置用電解銀めっき液

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：鮫島睦 , 田村恭生 , 言上惠一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-124972
公開番号（公開出願番号）：特開2013-249514
出願日： 2012年05月31日
公開日（公表日）： 2013年12月12日
要約：

【課題】光半導体装置用リードフレームまたは基板に対して実装信頼性、光反射特性及び耐食性(特に、硫化腐食に対する耐食性)を安定化させることができ、これらの特性を向上させることができる銀めっき液とその銀めっき液を用いためっき方法を提供すること。【解決手段】本発明に係る光半導体装置用リードフレームまたは基板に対する電解銀めっき液は、シアン化銀錯体20〜250g/L、遊離シアン塩50〜200g/L、セレン化合物およびイオウ化合物の少なくともいずれか一方を含有する銀めっき液に、Ti、Zr、V、Mo、W、Co、Pd、Au、Cu、Zn、Ga、Ge、In、Sn、Tl、Sb、Bi、As、P、Te、Br、Iからなる群から選択された少なくとも1種を含む可溶性化合物を、5mg/L〜10g/Lの濃度範囲で添加し、pHが10〜14であることを特徴とする。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

シアン化銀錯体20〜250g/L、遊離シアン塩50〜200g/L、セレン化合物およびイオウ化合物の少なくともいずれか一方を含有する銀めっき液に、Ti、Zr、V、Mo、W、Co、Pd、Au、Cu、Zn、Ga、Ge、In、Sn、Tl、Sb、Bi、As、P、Te、Br、Iからなる群から選択された少なくとも1種を含む可溶性化合物を、5mg/L〜10g/Lの濃度範囲で添加し、pHが10〜14である、光半導体装置用リードフレームまたは基板に対する電解銀めっき液。

IPC (1件)：

C25D 3/46

FI (1件)：

C25D3/46

Fターム (9件)：

4K023AA24 , 4K023BA11 , 4K023CA01 , 4K023CA06 , 4K023CA09 , 4K023DA01 , 4K023DA04 , 4K023DA06 , 4K023DA07

引用特許：

審査官引用 (8件)

銀電気めっき浴
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-228211 出願人：エヌ・イーケムキャット株式会社
特開昭60-159192
特公昭49-005818

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