半導体発光素子の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：日向寺雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-136550
公開番号（公開出願番号）：特開2013-201459
出願日： 2013年06月28日
公開日（公表日）： 2013年10月03日
要約：

【課題】活性層の劣化を抑制した半導体発光素子の製造方法を提供する。【解決手段】実施形態によれば、窒化物半導体を含む結晶層を含む半導体発光素子の製造方法が提供される。窒化物半導体は、In原子の数とGa原子の数との合計に対するIn原子の数の比であるxsが0.2以上0.4以下である。製造方法は、基体の主面に、Ga原子を含む第1分子を含むガスとIn原子を含む第2分子を含むガスとを含む原料ガスを供給して層面がc面の結晶層を形成する工程を備える。単位時間当たりに供給される第1分子を含むガス中のGa原子の数と、単位時間当たりに供給される第2分子を含むガス中のIn原子の数と、の合計に対する単位時間当たりに供給される第2分子を含むガス中のIn原子の数の比をInの気相供給量比xvとする。(1-1/xv)/(1-1/xs)を0.1よりも小さくする。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

In原子及びGa原子を含み、In原子の数とGa原子の数との合計に対する前記In原子の数の比であるxsが0.2以上0.4以下である窒化物半導体を含む結晶層を含み、出射される光のピーク波長が480nm以上700nm以下の半導体発光素子の製造方法であって、基体の主面にGa原子を含む第1分子を含むガスとIn原子を含む第2分子を含むガスとを含む原料ガスを供給してIn及びGaを含む窒化物半導体を含む層面がc面の前記結晶層を形成する工程を備え、単位時間当たりに供給される前記第1分子を含む前記ガス中のGa原子の数と、単位時間当たりに供給される前記第2分子を含む前記ガス中のIn原子の数と、の合計に対する前記単位時間当たりに供給される前記第2分子を含む前記ガス中のIn原子の数の比をInの気相供給量比xvとしたとき、(1-1/xv)/(1-1/xs)を0.1よりも小さくすることを特徴とする半導体発光素子の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 33/32 , H01S 5/343 , H01L 21/205

FI (3件)：

H01L33/00 186 , H01S5/343 610 , H01L21/205

Fターム (36件)：

5F045AA04 , 5F045AB14 , 5F045AB17 , 5F045AC08 , 5F045AC12 , 5F045AD12 , 5F045AD14 , 5F045AD15 , 5F045AF02 , 5F045AF03 , 5F045AF04 , 5F045AF05 , 5F045AF09 , 5F045BB04 , 5F045BB05 , 5F045BB07 , 5F045BB12 , 5F045CA09 , 5F045CA10 , 5F045CA11 , 5F045CA12 , 5F045DA53 , 5F045DA55 , 5F045GB11 , 5F141AA40 , 5F141AA44 , 5F141CA04 , 5F141CA05 , 5F141CA22 , 5F141CA40 , 5F141CA65 , 5F173AH22 , 5F173AP05 , 5F173AQ12 , 5F173AQ16 , 5F173AR82

引用特許：

審査官引用 (2件)

GaN系化合物半導体発光素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-246788 出願人：シャープ株式会社
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2009-201071 出願人：株式会社東芝

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