特許
J-GLOBAL ID：200903025474175012

GaN系化合物半導体発光素子の製造方法

発明者：
小河 淳

小河 淳 について

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湯浅 貴之

湯浅 貴之 について

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上田 吉裕

上田 吉裕 について

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津田 有三

津田 有三 について

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荒木 正浩

荒木 正浩 について


出願人/特許権者：
シャープ株式会社

シャープ株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-246788
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077415
出願日： 1999年08月31日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 ピーク発光波長で、高い発光強度を示すGaN系化合物半導体発光素子の製造方法。【解決手段】 インジウムを含むGaN系化合物半導体のn+1層障壁層(nは1以上の自然数)と、インジウムを含むGaN系化合物半導体からなり障壁層より小さいバンドギャップエネルギーを有するn層の井戸層を有し、m番目(1≦m≦n)井戸層が、m番目障壁層とm+1番目障壁層の間に隣接し配設される量子井戸構造を有する発光層を備えるGaN系化合物半導体発光素子の製造方法。m番目障壁層を結晶成長させる工程、m番目障壁層の上にm番目井戸層を結晶成長させる工程、m番目井戸層の上にm+1番目障壁層を結晶成長させる工程をリアクタ内で順に繰り返し、n+1層障壁層とn層井戸層を交互に結晶成長させ発光層を形成する発光層形成工程を含む。発光層形成工程では、井戸層の結晶成長工程の各々で、結晶成長終了後に、第1所定時間の成長中断を実施する。
請求項（抜粋）：
量子井戸構造を有する発光層を備えるGaN系化合物半導体発光素子の製造方法であって、該量子井戸構造は、各々がインジウムを含むGaN系化合物半導体からなるn+1層の障壁層(但しnは1以上の自然数)と、各々がインジウムを含むGaN系化合物半導体からなり該障壁層の各々よりも小さいバンドギャップエネルギーを有するn層の井戸層と、を有し、m番目(1≦m≦n)の該井戸層が、m番目の該障壁層とm+1番目の該障壁層との間に隣接して配設されていて、該製造方法は、該m番目の該障壁層を結晶成長させる工程と、該m番目の障壁層の上に該m番目の井戸層を結晶成長させる工程と、該m番目の井戸層の上に該m+1番目の障壁層を結晶成長させる工程と、をリアクタ内で順に繰り返して、該n+1層の障壁層と該n層の井戸層とを交互に結晶成長させて該発光層を形成する、発光層形成工程を含んでおり、該発光層形成工程においては、該井戸層の結晶成長工程の各々において、該結晶成長の終了後に、第1の所定の時間の成長中断を実施する、GaN系化合物半導体発光素子の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/343
FI (3件)：
H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/343
Fターム (46件)：
5F041AA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA47 ,  5F041CA65 ,  5F041CA67 ,  5F045AA04 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD09 ,  5F045AD10 ,  5F045AD11 ,  5F045AD12 ,  5F045AD14 ,  5F045AF02 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB16 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA55 ,  5F045DA56 ,  5F045DA63 ,  5F045DP04 ,  5F045DQ06 ,  5F045EB15 ,  5F045EC02 ,  5F045EE04 ,  5F045EE12 ,  5F045EE18 ,  5F045EJ04 ,  5F045EJ09 ,  5F045EK07 ,  5F073AA43 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073DA05 ,  5F073DA25 ,  5F073EA02 ,  5F073EA29
引用特許：
審査官引用 (13件)
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