特許
J-GLOBAL ID：201303037954618128
高圧モジュール
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
松本 洋一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-009756
公開番号（公開出願番号）：特開2013-149819
出願日： 2012年01月20日
公開日（公表日）： 2013年08月01日
要約：
【課題】絶縁基板周辺の電界強度を変化させないで、かつ、ゲル状絶縁物以外の材料を使用せずに、絶縁性能を十分に向上させた高圧モジュールを提供する。【解決手段】絶縁基板1の表面に表面金属基板2が接合されるとともに絶縁基板1の裏面に接地電位とされる裏面金属基板3が接合された回路基板部4と、表面金属基板2上に搭載された半導体素子5と、回路基板部4および半導体素子5の周囲に配設された外囲ケース52Aと、少なくとも回路基板部4および半導体素子5を覆うように外囲ケース52A内に充填されたゲル状絶縁物6とを備え、外囲ケース52A内のゲル状絶縁物6の上部空間における気体12を加圧された状態で密封することにより、ゲル状絶縁物6を加圧してなる構成とする。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
絶縁基板の表面に表面金属基板が接合されるとともに前記絶縁基板の裏面に接地電位とされる裏面金属基板が接合された回路基板部と、
前記表面金属基板上に搭載された半導体素子と、
前記回路基板部および前記半導体素子の周囲に配設された外囲ケースと、
少なくとも前記回路基板部および前記半導体素子を覆うように前記外囲ケース内に充填されたゲル状絶縁物とを備えた高圧モジュールにおいて、
前記外囲ケース内の前記ゲル状絶縁物の上部空間における気体を加圧された状態で密封することにより、前記ゲル状絶縁物を加圧してなる
ことを特徴とする高圧モジュール。
IPC (2件)：
FI (1件)：
引用特許：
出願人引用 (3件)
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パワー半導体装置およびその製法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-329679
出願人：三菱電機株式会社
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回路配置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平4-080826
出願人：エクスポルト・コントアアウセンハンデルスゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング
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半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2009-053090
出願人：富士電機デバイステクノロジー株式会社
審査官引用 (3件)
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パワー半導体装置およびその製法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平8-329679
出願人：三菱電機株式会社
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回路配置
公報種別：公開公報
出願番号：特願平4-080826
出願人：エクスポルト・コントアアウセンハンデルスゲゼルシヤフトミツトベシユレンクテルハフツング
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半導体装置
公報種別：公開公報
出願番号：特願2009-053090
出願人：富士電機デバイステクノロジー株式会社
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