特許

J-GLOBAL ID：201303038088126802

スパッタリングターゲット

発明者： 矢部 洋一郎 ,  高阪 泰郎 ,  林 信男
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  東芝電子エンジニアリング株式会社
代理人 (2件)： 特許業務法人サクラ国際特許事務所 ,  須山 佐一
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-136251
公開番号（公開出願番号）：特開2001-316808
特許番号：特許第4761605号
出願日： 2000年05月09日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 Mo、W、Ta、Ti、Cr、Nd、Ni、Co、Pt、AlおよびCuから選ばれる金属元素の単体、もしくは前記金属元素を含む合金または化合物からなるスパッタリングターゲットであって、 表面粗さがRyで7μm以上10μm以下のスパッタ面を有し、前記スパッタ面に存在する深さ5μm以上の凹部の幅が、粗さ曲線の局部山頂の間隔として70μm以上であることを特徴とするスパッタリングターゲット。

IPC (2件)：

C23C 14/34 ( 200 6.01) ,  H01L 21/285 ( 200 6.01)

FI (3件)：

C23C 14/34 B ,  C23C 14/34 A ,  H01L 21/285 S

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 金属シリサイドターゲット材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-057983   出願人：日立金属株式会社
• Ti-Wターゲツト材およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-259069   出願人：日立金属株式会社
• スパッタリングターゲットとその製造方法、および電子部品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-128359   出願人：株式会社東芝